[發明專利]高穩定性石墨烯納米孔制備方法

在審

• 申請號: 202210143912.9
• 申請日: 2022-02-17
• 公開（公告）號: CN114516615A
• 公開（公告）日: 2022-05-20
• 發明（設計）人: 劉智波;郭浩煒;田建國
• 申請（專利權）人: 南開大學
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;C01B32/19;C01B32/194
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種高穩定性石墨烯納米孔制備方法，其特征在于通過機械剝離法制備高質量石墨烯并轉移到帶孔氮化硅芯片上形成石墨烯懸空膜結構；通過氧等離子體刻蝕精確控制石墨烯懸空膜內缺陷密度，使納米孔可以依賴缺陷而生長；通過脈沖光輻照目標區域，降低石墨烯薄膜擊穿電壓；通過設置遞增的脈沖電流，對薄膜進行擊穿，進而產生高穩定性石墨烯納米孔。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所制備的納米孔不僅僅限于石墨烯一種材料，其他二維材料納米孔如二硫化鉬、二硒化鎢、黑磷均可利用該技術進行制備。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，等離子刻蝕氣體不僅限于高純氧一種氣源。視材料不同，其它常用氣體，如氮氣、氬氣、CF₄以及其一定比例混合氣均可作為等離子體刻蝕的氣源。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，電擊穿過程所選用的電流源，可替換為其他同類型或具有類似功能的電源裝置。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，光路中激光器波長、脈沖頻率、平均功率以及光學器件型號和物鏡倍數等可在實現相同效果的前提下進行更改。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，制備石墨烯懸空膜結構所用帶孔氮化硅芯片，可替換為帶孔碳膜、金屬微柵等功能和結構類似的器件。