[發明專利]一種波長可調的寬光譜光電器件在審
| 申請號: | 202210143878.5 | 申請日: | 2022-02-17 |
| 公開(公告)號: | CN114520269A | 公開(公告)日: | 2022-05-20 |
| 發明(設計)人: | 熊錫成;李敏 | 申請(專利權)人: | 河南工程學院 |
| 主分類號: | H01L31/0328 | 分類號: | H01L31/0328;H01L31/08 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 451191 河南*** | 國省代碼: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 波長 可調 光譜 光電 器件 | ||
1.一種波長可調的寬光譜光電器件,主要包括:由(1)~(5)構成的基本結構。(1)是硅層,位于結構上部,是光線的入射面;(2)是β-FeSi2層,位于結構中部;(3)是硅層,位于結構下部,是光線的出射面;(4)是上表面金屬電極,與硅層形成歐姆接觸;(5)是下表面金屬電極,與硅層形成歐姆接觸;(4)的面積占(1)面積的一小部分,保證足夠的光線入射;(5)的面積占(3)面積的一部分,允許部分光線射出,或者占全部,可以把透射而來的光線反射回結構內部;(1)、(2)、(3)材料的厚度均小于其趨膚深度;基本結構可以單獨使用或互相組合形成新的結構,以構成種波長可調的寬光譜光電器件。
2.根據權利要求1所述的一種波長可調的寬光譜光電器件,其特征在于:通過各層材料厚度的變化完成傳輸光線波長的選擇調整,獲得透射光,光電流或光電信號;各層材料的厚度均小于其趨膚深度;基本結構單獨或互相組合形成的結構;光線從上表面照射入射,光的入射角度可以調整。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





