[發明專利]陣列基板及顯示面板在審
| 申請號: | 202210141611.2 | 申請日: | 2022-02-16 |
| 公開(公告)號: | CN114415434A | 公開(公告)日: | 2022-04-29 |
| 發明(設計)人: | 張立志;黃世帥;康報虹 | 申請(專利權)人: | 滁州惠科光電科技有限公司;惠科股份有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1368 | 分類號: | G02F1/1368;G02F1/1362;H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京華夏泰和知識產權代理有限公司 11662 | 代理人: | 劉敏 |
| 地址: | 239000 安徽省滁州*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 顯示 面板 | ||
本申請涉及一種陣列基板及顯示面板,陣列基板包括呈陣列排布的多個子像素,每個子像素包括主像素區、次像素區及器件區;器件區包括主薄膜晶體管、主存儲電極、次薄膜晶體管、次存儲電極和分壓薄膜晶體管,其中,主薄膜晶體管的第一源極與主像素電極或者主存儲電極電連接,次薄膜晶體管的第二源極的一端與次像素電極或者次存儲電極電連接,次薄膜晶體管的第二源極的另一端與分壓薄膜晶體管的第三源極電連接;每個子像素還包括公共走線,公共走線與分壓薄膜晶體管的第三漏極同層布置,且由主像素區延伸至次像素區,并與第三漏極的兩端分別電連接。該陣列基板在改善色偏、提升大視角范圍的同時,可以增大有效透光區域的面積,提高像素開口率。
技術領域
本申請涉及顯示技術領域,特別是涉及一種陣列基板及顯示面板。
背景技術
隨著主動式薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor-LCD,簡稱TFT-LCD)技術的發展,顯示屏幕的尺寸越來越大,人們對于顯示屏的品質需求也不斷提升,其中對于大視角范圍的需求尤為明顯。由于垂直配向(Vertical Alignment,簡稱VA)型液晶顯示面板采用垂直轉動的液晶,液晶分子雙折射率的差異比較大,導致大視角下的色偏(colorshift)問題比較嚴重。
為了提升面板視角表現、改善色偏問題,通常會采取多疇垂直配向技術(Multi-domain VA,簡稱MVA),即將一個子像素劃分成多個區域,并使每個區域中的液晶在施加電壓后倒伏向不同的方向,從而使各個方向看到的效果趨于平均一致。隨著技術的發展,出現了一種不需要使用配向層的MVA型液晶顯示面板,稱為聚合物穩定垂直配向(Polymer-Stabilized Vertical Alignment,簡稱PSVA)型液晶顯示面板,其采用3T-8疇像素結構,即每個子像素通過3個薄膜晶體管TFT控制8個區域,但由于3T-8疇液晶顯示面板本身需要八個方向的像素電極排布,導致有效透光區域的空間十分有限,這大幅度降低了像素開口率。
發明內容
本申請旨在提供一種陣列基板及顯示面板,該陣列基板通過將3T-8疇像素結構中的分壓薄膜晶體管的漏極與在整個子像素上延伸的公共走線電連接以形成閉合回路,且分壓薄膜晶體管的漏極與公共走線同層布置,不需要額外設置過孔,在改善色偏、提升大視角范圍的同時,可以增大有效透光區域的面積,提高像素開口率。
第一方面,本申請實施例提出了一種陣列基板,包括在襯底基板上呈陣列排布的多個子像素,每個子像素包括主像素區、次像素區及位于主像素區與次像素區之間的器件區;主像素區包括主像素電極,次像素區包括次像素電極,器件區包括主薄膜晶體管、主存儲電極、次薄膜晶體管、次存儲電極和分壓薄膜晶體管,其中,主薄膜晶體管的第一源極通過第一過孔與主像素電極或者主存儲電極電連接,次薄膜晶體管的第二源極的一端通過第二過孔與次像素電極或者次存儲電極電連接,次薄膜晶體管的第二源極的另一端與分壓薄膜晶體管的第三源極電連接;每個子像素還包括公共走線,公共走線與分壓薄膜晶體管的第三漏極同層布置,且由主像素區延伸至次像素區,并與第三漏極的兩端分別電連接。
在一種可能的實施方式中,主像素電極和次像素電極均包括相互連接的主干電極和分支電極,主干電極將主像素區和次像素區分別分為多個疇區,每一疇區內的分支電極平行且間隔,并與主干電極之間呈預定夾角設置,不同疇區內的分支電極的朝向相異;公共走線包括與分壓薄膜晶體管的第三漏極的兩端分別電連接的第一走線和第二走線,第一走線對應于主像素電極的主干電極設置,第二走線對應于次像素電極的主干電極設置。
在一種可能的實施方式中,陣列基板還包括掃描線和數據線,掃描線位于器件區且對應每一行子像素設置,數據線對應每一列子像素設置;主薄膜晶體管的第一漏極和次薄膜晶體管的第二漏極均呈U型,且開口方向相異;第一漏極和第二漏極相互電連接,并與鄰近的數據線電連接;主薄膜晶體管的第一柵極、次薄膜晶體管的第二柵極和分壓薄膜晶體管的第三柵極分別連接至掃描線。
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