[發(fā)明專利]一種實(shí)現(xiàn)電磁誘導(dǎo)透明現(xiàn)象的納米光學(xué)結(jié)構(gòu)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210140159.8 | 申請(qǐng)日: | 2022-02-16 |
| 公開(公告)號(hào): | CN114566805A | 公開(公告)日: | 2022-05-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳召;王藝霖;侯志靈 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京化工大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01Q15/00 | 分類號(hào): | H01Q15/00 |
| 代理公司: | 北京五月天專利商標(biāo)代理有限公司 11294 | 代理人: | 張瑞豐 |
| 地址: | 100029 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 實(shí)現(xiàn) 電磁 誘導(dǎo) 透明 現(xiàn)象 納米 光學(xué) 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種實(shí)現(xiàn)電磁誘導(dǎo)透明現(xiàn)象的納米光學(xué)結(jié)構(gòu),其特征在于:包括表面等離激元效應(yīng)層和導(dǎo)模諧振層,表面等離激元效應(yīng)層位于導(dǎo)模諧振層上方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的實(shí)現(xiàn)電磁誘導(dǎo)透明現(xiàn)象的納米光學(xué)結(jié)構(gòu),其特征在于:表面等離激元效應(yīng)層和導(dǎo)模諧振層之間設(shè)有介質(zhì)襯底層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的實(shí)現(xiàn)電磁誘導(dǎo)透明現(xiàn)象的納米光學(xué)結(jié)構(gòu),其特征在于:表面等離激元效應(yīng)層由金屬材料制成,導(dǎo)模諧振層由高折射率材料制成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的實(shí)現(xiàn)電磁誘導(dǎo)透明現(xiàn)象的納米光學(xué)結(jié)構(gòu),其特征在于:表面等離激元效應(yīng)層設(shè)有十字形鏤空諧振腔、圓形鏤空諧振腔或方形鏤空諧振腔。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的實(shí)現(xiàn)電磁誘導(dǎo)透明現(xiàn)象的納米光學(xué)結(jié)構(gòu),其特征在于:表面等離激元效應(yīng)層采用金屬銀或金制成,導(dǎo)模諧振層由硅制成,介質(zhì)襯底層由二氧化硅制成。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的實(shí)現(xiàn)電磁誘導(dǎo)透明現(xiàn)象的納米光學(xué)結(jié)構(gòu),其特征在于:介質(zhì)襯底層折射率n=1.45。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的實(shí)現(xiàn)電磁誘導(dǎo)透明現(xiàn)象的納米光學(xué)結(jié)構(gòu),其特征在于:硅的取值為[波長,折射率實(shí)部,折射率虛部]=[ 688 708 729 751 774 799 826,3.788 3.76443.7419 3.7204 3.6999 3.6801 3.6611,0.0112 0.00992 0.00865 0.00745 0.00630.00522 0.00421],其中波長的單位為nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7任何一項(xiàng)所述的實(shí)現(xiàn)電磁誘導(dǎo)透明現(xiàn)象的納米光學(xué)結(jié)構(gòu),其特征在于:納米光學(xué)結(jié)構(gòu)是由多個(gè)單元胞結(jié)構(gòu)組成的周期性結(jié)構(gòu),X方向和Y方向是周期性,Z方向?yàn)閱我恍?,每個(gè)單元胞結(jié)構(gòu)Z向由上至下由表面等離激元效應(yīng)層、介質(zhì)襯底層、導(dǎo)模諧振層組成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的實(shí)現(xiàn)電磁誘導(dǎo)透明現(xiàn)象的納米光學(xué)結(jié)構(gòu),其特征在于:單元胞結(jié)構(gòu)關(guān)于X軸和Y軸對(duì)稱設(shè)置。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的實(shí)現(xiàn)電磁誘導(dǎo)透明現(xiàn)象的納米光學(xué)結(jié)構(gòu),其特征在于:入射光為線偏光+z方向正入射,線偏光波長范圍為700 nm ~ 800 nm。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于北京化工大學(xué),未經(jīng)北京化工大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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