[發(fā)明專利]一種晶圓級芯片封裝工藝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210140158.3 | 申請日： | 2022-02-16 |
| 公開（公告）號： | CN114551248A | 公開（公告）日： | 2022-05-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陳小響;杜陽 | 申請（專利權(quán)）人： | 江蘇芯德半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/50 | 分類號： | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/66;B41M5/26 |
| 代理公司： | 南京華恒專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32335 | 代理人： | 裴素艷 |
| 地址： | 210000 江蘇省南*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 晶圓級 芯片 封裝 工藝 | ||
1.一種晶圓級芯片封裝工藝，其特征在于：包括以下步驟：
①貼膜，在晶圓的正面貼保護膜；
②磨片，減薄晶圓的背面；
③通過片環(huán)在晶圓背面貼一體膜，所述一體膜包括背膠膜和劃片膜；
④撕掉晶圓正面保護膜；
⑤烘烤一體膜中的背膠膜，對其進行固化；
⑥透膜打印，透過劃片膜在背膠膜上進行激光打印；
⑦高壓烘烤，消除在透膜打印過程中一體膜內(nèi)產(chǎn)生的氣泡。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級芯片封裝工藝，其特征在于：步驟⑤烘烤的溫度為125~175℃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級芯片封裝工藝，其特征在于：步驟⑦高壓烘烤的壓力為2~10個大氣壓，溫度為125~175℃。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級芯片封裝工藝，其特征在于：步驟③將晶圓置于片環(huán)的內(nèi)圈并保持晶圓背面和片環(huán)表面平齊，將一體膜同時覆蓋并貼合在晶圓和片環(huán)上形成整體。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶圓級芯片封裝工藝，其特征在于：貼完一體膜后，通過夾取片環(huán)來轉(zhuǎn)移晶圓進行加工。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級芯片封裝工藝，其特征在于：步驟②磨片之前進行植球、回流、清洗和測試。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級芯片封裝工藝，其特征在于：步驟⑦高壓烘烤之后進行劃片和分選。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級芯片封裝工藝，其特征在于：所述劃片膜的耐熱溫度為150℃。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
