[發明專利]處理外延片的方法和裝置以及檢測外延片的方法

在審

• 申請號: 202210138588.1
• 申請日: 2022-02-15
• 公開（公告）號: CN116646244A
• 公開（公告）日: 2023-08-25
• 發明（設計）人: 王曉;于源源;溫雅楠;汪軍
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司
• 主分類號: H01L21/324
• 分類號: H01L21/324;H01L21/66
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 黃倩

1.一種處理外延片的襯底的方法，所述方法包括：

在第一工藝下，對所述襯底進行退火達第一時間，以控制所述襯底的體微缺陷密度，以及

在第二工藝下，使所述襯底生長出外延層，其中所述第二工藝的溫度高于所述第一工藝的溫度。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述襯底包括晶錠或者硅片。

3.根據權利要求1至2中任一項所述的方法，其中所述第一工藝的退火溫度選自700℃至900℃的范圍。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的方法，其中所述第一時間選自3小時至8小時的范圍。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的方法，其中所述第一工藝的所述退火在包括純Ar₂、純H₂和純N₂中的一種或多種的環境中進行。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的方法，其中所述第一工藝的所述退火在立式退火爐中進行，并且所述第二工藝在外延設備中進行。

7.一種處理外延片的方法，所述外延片包括襯底和外延層，所述方法包括：

在第一時間內對所述外延片進行退火，所述退火的溫度為第一溫度；以及

在第二時間內對所述外延片進行退火，所述退火的溫度為高于所述第一溫度的第二溫度，其中所述第一溫度、所述第二溫度、所述第一時間和所述第二時間基于調節函數來確定，所述調節函數指示所述退火的所述溫度和時間的關聯性。

8.根據權利要求7所述的方法，其中所述第一溫度、所述第二溫度、所述第一時間和所述第二時間基于熱預算值進行調節，所述熱預算值根據工藝溫度和時間的積分并通過所述調節函數來確定。

9.根據權利要求7至8中任一項所述的方法，還包括：

在所述退火步驟之前，獲取所述外延片的第一體微缺陷密度；以及

在所述退火步驟之后，獲取所述外延片的第二體微缺陷密度。

10.根據權利要求7至9中任一項所述的方法，其中所述第一溫度選自500℃至900℃的范圍。

11.根據權利要求7至10中任一項所述的方法，其中所述第二溫度選自900℃至1200℃的范圍。

12.根據權利要求7至11中任一項所述的方法，其中所述調節包括：

確定第一熱預算值，所述第一熱預算值表示所述外延片進行體微缺陷生長的理想熱預算值；

確定第二熱預算值，所述第二熱預算值是根據所述外延片的處理工藝來確定的；

基于所述第一熱預算值和所述第二熱預算值，確定所述第一時間、所述第二時間、所述第一溫度和所述第二溫度。

13.根據權利要求12所述的方法，其中所述基于所述第一熱預算值和所述第二熱預算值包括：確定所述第一熱預算值和所述第二熱預算值的差值。

14.一種處理外延片的裝置，用于執行根據權利要求7至13中任一項所述的方法。

15.一種檢測外延片的方法，所述外延片使用根據權利要求7至13中任一項所述的方法來處理，所述方法包括：

在所述處理之前，獲取所述外延片的第一體微缺陷密度；

使用根據權利要求7至13中任一項所述的方法來處理所述外延片；以及

在所述處理之后，獲取所述外延片的第二體微缺陷密度。