[發明專利]一種背接觸電池串、背接觸電池組件以及背接觸電池系統在審
| 申請號: | 202210134831.2 | 申請日: | 2022-02-14 |
| 公開(公告)號: | CN114388636A | 公開(公告)日: | 2022-04-22 |
| 發明(設計)人: | 林文杰;邱開富;許文理;王永謙;陳剛 | 申請(專利權)人: | 浙江愛旭太陽能科技有限公司;珠海富山愛旭太陽能科技有限公司;天津愛旭太陽能科技有限公司;廣東愛旭科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/05 |
| 代理公司: | 深圳盛德大業知識產權代理事務所(普通合伙) 44333 | 代理人: | 張紅偉 |
| 地址: | 322000 浙江省*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 接觸 電池 組件 以及 系統 | ||
本發明屬于太陽能電池技術領域,尤其涉及一種背接觸電池串、背接觸電池組件以及背接觸電池系統。背接觸電池串包括:至少一個電池片,電池片包括設有正極細柵線的P型摻雜區和設有負極細柵線的N型摻雜區,在正極細柵線上設置有第一正極絕緣塊陣列和第二正極絕緣塊陣列,第一平行正極絕緣塊和第二平行正極絕緣塊上均設有連接相鄰兩個負極細柵線的第一導電段,在負極細柵線上設置有第一負極絕緣塊陣列和第二負極絕緣塊陣列,第一平行負極絕緣塊和第二平行負極絕緣塊上均設有連接相鄰兩個正極細柵線的第二導電段。本發明可提高電池片的光電轉換效率,減少金屬耗量;另外可避免電池片受到損傷,降低電池組件的應力,提高其可靠性。
技術領域
本發明屬于太陽能電池技術領域,尤其涉及一種背接觸電池串、背接觸電池組件以及背接觸電池系統。
背景技術
太陽能電池是一種將光能轉化為電能的半導體器件,較低的生產成本和較高的能量轉化效率一直是太陽能電池工業追求的目標。對于目前常規太陽能電池,其發射極接觸電極和基極接觸電極分別位于電池片的正反兩面。電池的正面為受光面,正面金屬發射極接觸電極的覆蓋必將導致一部分入射的太陽光被金屬電極所反射遮擋,造成一部分光學損失。普通晶硅太陽能電池的正面金屬電極的覆蓋面積在7%左右,減少金屬電極的正面覆蓋可以直接提高電池的能量轉化效率。
針對上述情況,行業內推出一種背接觸太陽能電池。背接觸太陽能電池是一種將發射極和基極接觸電極均放置在電池背面(非受光面)的電池,該電池的受光面無任何金屬電極遮擋,從而有效增加了電池片的短路電流,同時背面可以容許較寬的金屬柵線來降低串聯電阻從而提高填充因子;并且這種正面無遮擋的電池不僅轉換效率高,而且看上去更美觀,同時全背電極的組件更易于裝配。
現有的背接觸太陽能電池的正負極細柵線分離空穴電子,再通過主柵收集電流,而主柵的存在會導致對應位置的空穴電子分離較差,造成效率的損失,但若缺少主柵,會增大串聯電阻,導致不易收集電流,并且主柵的金屬耗量較高,大大增加了電池生產成本。另外背接觸太陽能電池常通過焊帶進行焊接組成電池組件,在焊接過程中需要高溫環境,對電池會造成一定的損傷,并且焊帶會對電池造成造成應力,使得電池存在隱裂問題,大大降低了電池可靠性。
發明內容
本發明提供一種背接觸電池串,旨在解決現有背接觸電池效率低、成本高,且在組成組件時容易對電池造成損傷、造成應力的技術問題。
本發明是這樣實現的,提供一種背接觸電池串,所述背接觸電池串包括:
至少一個電池片,各個所述電池片均包括交替布置的P型摻雜區和N型摻雜區,所述P型摻雜區設有正極細柵線,所述N型摻雜區設有負極細柵線;
所述正極細柵線在其垂直方向上設置有第一正極絕緣塊陣列和第二正極絕緣塊陣列,所述第二正極絕緣塊陣列位于相鄰兩個所述第一正極絕緣塊陣列之間;
所述第一正極絕緣塊陣列包括在所述正極細柵線上間隔設置的第一平行正極絕緣塊,所述第二正極絕緣塊陣列包括間隔設置的第二平行正極絕緣塊,所述第二平行正極絕緣塊設置在未設有第一平行正極絕緣塊的所述正極細柵線上;
所述第一平行正極絕緣塊和所述第二平行正極絕緣塊上均設有連接相鄰兩個所述負極細柵線的第一導電段;
所述負極細柵線在其垂直方向上設置有第一負極絕緣塊陣列和第二負極絕緣塊陣列,所述第二負極絕緣塊陣列位于相鄰兩個所述第一負極絕緣塊陣列之間;
所述第一負極絕緣塊陣列包括在所述負極細柵線上間隔設置的第一平行負極絕緣塊,所述第二負極絕緣塊陣列包括間隔設置的第二平行負極絕緣塊,所述第二平行負極絕緣塊設置在未設有第一平行負極絕緣塊的所述負極細柵線上;
所述第一平行負極絕緣塊和所述第二平行負極絕緣塊上均設有連接相鄰兩個所述正極細柵線的第二導電段;
位于第一電池片第一邊緣的所述第一導電段連接與所述第一電池片相鄰的第二電池片邊緣的第二導電段;
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H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





