[發明專利]轉移裝置、及轉移方法在審
| 申請號: | 202210131471.0 | 申請日: | 2022-02-11 |
| 公開(公告)號: | CN116631890A | 公開(公告)日: | 2023-08-22 |
| 發明(設計)人: | 詹蕊綺;蕭俊龍;蔡明達;范春林;汪慶 | 申請(專利權)人: | 重慶康佳光電技術研究院有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L27/15;H01L33/00;H01L33/62 |
| 代理公司: | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人: | 廖媛敏 |
| 地址: | 402760 重慶市璧*** | 國省代碼: | 重慶;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 轉移 裝置 方法 | ||
本申請涉及一種轉移裝置、及轉移方法。本申請轉移裝置包括剝離模塊和開設有多個中空孔的引導基板,中空孔的位置和數量分別與承載基板上的微元件一一對應,每個中空孔沿第一方向的相對兩側分別設有第一限位元件,兩個第一限位元件均位于引導基板的同一側,且背離中空孔的一端沿第一方向的間隔距離大于或等于第一外形尺寸;當引導基板放置于承載基板與接收基板之間時,第一限位元件位于靠近接收基板一側,剝離模塊置于承載基板背離引導基板一側,用于驅動微元件從承載基板上剝離并朝向接收基板滑動,第一限位元件用于限定微元件在轉移過程中于第一方向上的位移。本申請轉移裝置能夠直接轉移微元件且提高轉移精準率。本申請還提供一種轉移方法。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種轉移裝置、及轉移方法。
背景技術
巨量轉移技術指將承載基板上高密度集成微小尺寸的微元件轉移到接收基板上,此技術在顯示面板制造過程中不可或缺。其中,微元件如發光二極管,基于微間距陣列形成于承載基板上。接收基板可以為是顯示面板。在將微元件大量地從承載基板上轉移到接收基板的過程中,需要保證微元件轉移的效率、良品率、以及在接收基板上的精準對位。目前,通常采用間接轉移法進行巨量轉移,即通過膠材粘附、或真空吸附等方法將微元件吸取至承接基板上,再通過承接基板與接收基板接合,從而完成轉移。
通過間接轉移法轉移微元件時,微元件與承接基板之間會發生多次接合和剝離,增加了微元件的轉移次數,進一步增加了微元件轉移的復雜度。同時,轉移次數的增加也降低了微元件轉移效率,并且難以保證微元件精準對位到接收基板上。
發明內容
鑒于上述現有技術的不足,本申請提供一種轉移裝置和轉移方法,用于在承載基板與接收基板相對設置時,引導承載基板上的微元件直接轉移至接收基板上,并能夠提高微元件的轉移精確度。其中,微元件沿第一方向具有第一外形尺寸。
本申請轉移裝置包括剝離模塊和開設有多個中空孔的引導基板,中空孔的位置和數量分別對應微元件在承載基板上的位置和數量設置,每個中空孔沿第一方向的相對兩側分別設有第一限位元件,兩個第一限位元件均位于引導基板的同一側,且兩個第一限位元件背離中空孔的一端沿第一方向的間隔距離大于或等于第一外形尺寸;當引導基板放置于承載基板與接收基板之間時,第一限位元件位于靠近接收基板一側,剝離模塊置于承載基板背離引導基板一側,用于驅動微元件從承載基板上剝離并朝向接收基板滑動,第一限位元件用于限定微元件在轉移過程中于第一方向上的位移。
本申請轉移裝置通過在承載基板背離引導基板的一側設置剝離模塊,能夠將微元件從承載基板上剝離并使微元件朝向接收基板滑動,形成微元件直接轉移至接收基板的效果。通過在引導基板上開設多個中空孔,且在每個中空孔沿第一方向的相對兩側分別設第一限位元件,能夠限定微元件在轉移過程中于第一方向上的位移。當引導基板放置于承載基板和接收基板之間時,通過使第一限位元件位于靠近接收基板的一側,能夠使微元件沿第一限位元件轉移至接收基板上。通過限定兩個第一限位元件背離中空孔的一端沿第一方向的間隔距離大于或等于第一外形尺寸,能夠使微元件在轉移到接收基板上時精準對位。
進一步的,通過本申請轉移裝置,能夠直接將微元件轉移至接收基板上,并且提高微元件的轉移效率和對位精確度。
可選地,第一限位元件與引導基板之間的夾角大于或等于90度。
在本實施例中,通過使第一限位元件與引導基板之間的夾角大于或等于90度,能夠進一步提高微元件轉移后的對位精確度。
可選地,微元件包括具有第一外形尺寸的第一結構,微元件轉移至接收基板上后,第一結構相較于接收基板具有第一高度;引導基板放置于承載基板與接收基板之間時,第一限位元件背離中空孔的一端相較于接收基板具有第二高度;第一高度大于或等于第二高度。
在本實施例中,通過使第一高度大于或等于第二高度,能夠使微元件在轉移過程中持續與第一限位元件抵持,進一步限定微元件在轉移過程中沿第一方向的位移。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





