[發明專利]一種晶粒細化層深度預測方法及系統在審
| 申請號: | 202210129819.2 | 申請日: | 2022-02-11 |
| 公開(公告)號: | CN114492064A | 公開(公告)日: | 2022-05-13 |
| 發明(設計)人: | 王西彬;白翌帆;劉志兵;劉書堯;王永;陳洪濤;宋慈;潘小雨;王湃;錢泳豪 | 申請(專利權)人: | 北京理工大學 |
| 主分類號: | G06F30/20 | 分類號: | G06F30/20;G01N23/203 |
| 代理公司: | 北京睿智保誠專利代理事務所(普通合伙) 11732 | 代理人: | 杜娟 |
| 地址: | 100081 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 晶粒 細化 深度 預測 方法 系統 | ||
1.一種晶粒細化層深度預測方法,其特征在于,包括以下步驟:
獲取數據集;
所述數據集為不同切削參數下的切削力F、晶粒細化層深度hSDL、工件直徑d數據集合;
根據所述數據集定義形成單位面積加工表面消耗的能量AEPC;
根據所述晶粒細化層深度hSDL和所述單位面積加工表面消耗的能量AEPC的函數關系構建晶粒細化層深度預測模型;
將所述數據集代入晶粒細化層深度預測模型進行模型參數擬合;
將待測數據輸入擬合完參數的晶粒細化層深度預測模型,得到目標晶粒細化層深度。
2.根據權利要求1所述的一種晶粒細化層深度預測方法,其特征在于,所述不同切削參數下的切削力F的獲取方法為:
通過在切削力采集試驗平臺進行不同參數下的切削試驗獲取所述不同切削參數下的切削力F。
3.根據權利要求1所述的一種晶粒細化層深度預測方法,其特征在于,不同切削參數下的所述晶粒細化層深度hSDL的獲取方法為:
通過EBSD測量不同切削參數下的變質層深度,并通過EBSD反極圖IPF進一步獲得晶粒細化層深度hSDL。
4.根據權利要求1所述的一種晶粒細化層深度預測方法,其特征在于,所述AEPC的表達式為:
其中,Fy為沿Y軸方向的切削力,Fz為沿z軸方向的切削力,f為進給量。
5.根據權利要求1所述的一種晶粒細化層深度預測方法,其特征在于,所述晶粒細化層深度預測模型的表達式為:
其中,a,b,c為待定系數,通過代入所述數據集進行最小二乘擬合得到。
6.一種晶粒細化層深度預測系統,其特征在于,包括:切削力采集試驗平臺、EBSD系統、PC端;
所述PC端內設置數據處理模塊、參數擬合模塊、晶粒細化層深度預測模型;
所述參數擬合模塊根據所述PC端接收的數據對晶粒細化層深度預測模型進行參數擬合;
所述數據處理模塊根據晶粒細化層深度預測模型對接收的數據進行目標晶粒細化層深度預測;
所述PC端接收所述切削力采集試驗平臺和所述EBSD系統傳輸的數據。
7.根據權利要求6所述的一種晶粒細化層深度預測系統,其特征在于,所述參數擬合模塊采用最小二乘法對接收的數據進行參數擬合。
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