[發明專利]一種高潔凈金屬箔材制備方法以及金屬掩模版條制備方法在審
| 申請號: | 202210129423.8 | 申請日: | 2022-02-11 |
| 公開(公告)號: | CN114433847A | 公開(公告)日: | 2022-05-06 |
| 發明(設計)人: | 陳鼎國 | 申請(專利權)人: | 寰采星科技(寧波)有限公司 |
| 主分類號: | B22F5/00 | 分類號: | B22F5/00;B22F3/105;B22F3/18;B22F3/24;B22F9/08;C23C14/04;C23C14/24;C23F1/02;B23P15/00 |
| 代理公司: | 無錫市匯誠永信專利代理事務所(普通合伙) 32260 | 代理人: | 石來杰 |
| 地址: | 315174 浙*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 潔凈 金屬 制備 方法 以及 模版 | ||
1.一種高潔凈金屬箔材制備方法,其特征在于,具體包括步驟如下:
S201,金屬粉末裝填;將潔凈金屬粉末經粒徑篩選后裝填至激光熔接加工設備的金屬粉末分注器中,其中,金屬粉末材質為因瓦合金,因瓦合金的質量百分比組成為Ni:35~39wt%,余量為Fe和其它微量元素;
S202,金屬粗箔成型;金屬粉末分注器將金屬粉末均勻注入至激光熔接加工設備中的工作平臺的基板上,而形成金屬粉末層,再以激光熔接加工設備中的激光平面掃描器將金屬粉末層熔接成金屬粗箔;
S203,初次熱處理;熱處理裝置根據預設溫度及預設時間下對金屬粗箔進行至少一次初次熱處理加工;
S204,精密壓延;以常溫精密冷壓延方式對初次熱處理加工后的金屬粗箔原材軋制成所需精密厚度且表面平整的高潔凈度薄金屬箔材,精密壓延后制作成型的高潔凈度薄金屬箔材厚度為5μm-5mm;
S205,二次熱處理;熱處理裝置根據預設溫度及預設時間下對精密壓延后的薄金屬箔材進行至少一次熱處理加工,以得到高潔凈度精密薄金屬箔材。
2.根據權利要求1所述的一種高潔凈金屬箔材制備方法,其特征在于,還包括金屬粉末形成步驟,其具體如下:
S199,金屬熔煉;將所選的高純度金屬材料以真空熔煉方式進行熔煉,使金屬材料形成熔融狀態;
S200,制作金屬粉末;將熔融狀態的金屬經霧化、冷卻、凝固后形成細微的潔凈金屬粉末。
3.根據權利要求2所述的一種高潔凈金屬箔材制備方法,其特征在于,在步驟S199中,選取純度高于99%、氧含量<2000ppm或氧含量<200ppm的若干純金屬原料,經成分及比例配比后投入真空熔煉爐內熔煉,熔煉時的溫度范圍為350℃~1700℃,真空度范圍為0.01~104Pa或10-4~100mbar,熔融功率為200~1200KW。
4.根據權利要求3所述的一種高潔凈金屬箔材制備方法,其特征在于,在步驟S199中,根據所需金屬的潔凈度或純度進行重熔,重熔方式采用電渣重熔或真空電弧重熔。
5.根據權利要求1所述的一種高潔凈金屬箔材制備方法,其特征在于,基于步驟S202的處理方式;在惰性氛圍或還原氛圍的環境下,金屬粉末分注器沿X軸移動或X軸-Y軸移動,以在工作平臺的基板上分注一層金屬粉末,且分注的金屬粉末層厚度為1~300μm,此時激光平面掃描器對金屬粉末層進行平面掃描熔接,掃描時,激光能量為50~500W,激光能量密度為10~350J/mm3,掃描速度為100~5000mm/秒,促使基板上的金屬粉末層與已成型的金屬粗箔熔接,以形成連續式金屬粗箔,此時進入步驟S203;
基于步驟S203的處理方式,在卷軸一卷繞基板及卷軸二卷繞連續式金屬粗箔作用下,連續式金屬粗箔與基板分離,并將熔接完成后的金屬粗箔輸送至初次熱處理的熱處理裝置中進行熱處理,初次熱處理完成后基板與連續式金屬粗箔分別成卷,此時進入步驟S204;
基于步驟S204的處理方式,對成卷的連續式金屬粗箔中所釋放的金屬粗箔進行至少一次精密冷軋,使連續式金屬粗箔得到所需的厚度且表面平整的成卷薄金屬箔材,此時進入步驟S205;
基于步驟S205的處理方式,對經至少一次精密冷軋的成卷薄金屬薄材進行至少一次二次熱處理,以得到成卷的高潔凈度薄金屬箔材,此時進入步驟S206;
S206,對成卷的高潔凈度薄金屬箔材進行裁切得到所需的尺寸后,進入步驟S207;
S207,對裁切后高潔凈度薄金屬箔材進行品質檢測,檢測完成后,制得成卷的高潔凈度精密薄金屬箔材。
6.根據權利要求1~5任一項所述的一種高潔凈金屬箔材制備方法,其特征在于,在步驟S203中,初次熱處理選用退火、應力消除及材料穩定化時效處理,退火處理溫度條件>600℃,應力消除處理溫度條件為250~400 ℃,材料穩定化時效處理溫度條件為60~200 ℃,時間為2秒鐘~72小時;
在步驟S205中,二次熱處理選用退火、應力消除及材料穩定化時效處理中的至少一者,并且熱處理氛圍選用干燥的惰性氛圍或還原氛圍,預設溫度為200±5℃~1450±25℃,時間為2秒鐘~48小時。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于寰采星科技(寧波)有限公司,未經寰采星科技(寧波)有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202210129423.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





