[發明專利]一種太陽能電池的制備方法

在審

• 申請號: 202210128981.2
• 申請日: 2022-02-11
• 公開（公告）號: CN114361297A
• 公開（公告）日: 2022-04-15
• 發明（設計）人: 符欣;張鑫義;陳光羽;周肅;龔道仁;徐曉華
• 申請（專利權）人: 安徽華晟新能源科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/20;H01L31/0224
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250
• 代理人: 薛異榮

1.一種太陽能電池的制備方法，包括：提供半導體襯底層，其特征在于，還包括：

在所述半導體襯底層的至少一側形成透明導電膜；

在所述透明導電膜背離所述半導體襯底層的表面形成種子層；

在部分所述種子層背離所述半導體襯底層的表面形成掩膜層，所述掩膜層的圖形對應著無需形成柵線電極的區域；

在所述掩膜層暴露出的所述種子層的表面電鍍柵線電極；

形成所述柵線電極之后，去除所述掩膜層；

去除所述掩膜層之后，去除所述柵線電極側部的種子層。

2.根據權利要求1所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，在所述半導體襯底層至少一側形成透明導電膜的步驟包括：在所述半導體襯底層的一側形成第一透明導電膜，和/或在所述半導體襯底層的另一側形成第二透明導電膜；

在所述透明導電膜背離所述半導體襯底層的表面形成種子層的步驟包括：在所述第一透明導電膜背離所述半導體襯底層的一側表面形成第一種子層，和/或在所述第二透明導電膜背離所述半導體襯底層的一側表面形成第二種子層；

在部分所述種子層背離所述半導體襯底層的表面形成掩膜層的步驟包括：在所述第一種子層背離所述第一透明導電膜的一側表面形成第一掩膜層，和/或在所述第二種子層背離所述第二透明導電膜的一側表面形成第二掩膜層；

在所述掩膜層暴露出的所述種子層的表面電鍍柵線電極的步驟包括：在所述第一掩膜層暴露出所述第一種子層的表面電鍍第一柵線電極，和/或在所述第二掩膜層暴露出所述第二種子層的表面電鍍第二柵線電極；

形成所述柵線電極之后，去除所述掩膜層的步驟包括：形成所述第一柵線電極之后去除所述第一掩膜層，和/或形成所述第二柵線電極之后去除所述第二掩膜層；

去除所述掩膜層之后，去除所述柵線電極側部的種子層的步驟包括：去除所述第一掩膜層之后去除第一柵線電極側部的第一種子層，和/或去除所述第二掩膜層之后去除第二柵線電極側部的第二種子層。

3.根據權利要求1所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，形成所述掩膜層的工藝包括噴墨打印工藝；

優選的，所述掩膜層的材料包括石蠟。

4.根據權利要求1所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，去除所述掩膜層的工藝包括熱處理工藝或者化學剝離工藝；

優選的，所述熱處理工藝的溫度為50℃～150℃；

優選的，當去除所述掩膜層采用化學剝離工藝時，去除所述掩膜層使用的剝離液包括氫氧化鈉溶液或者氫氧化鉀溶液。

5.根據權利要求1所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，形成所述種子層的工藝包括電鍍工藝；

優選的，所述種子層的材料包括銅或鎳；

優選的，所述種子層的厚度為50nm～150nm；

優選的，去除所述種子層的工藝包括化學剝離工藝；

優選的，去除所述種子層使用的剝離液包括氫氧化鈉溶液或者氫氧化鉀溶液。

6.根據權利要求1所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，在所述掩膜層暴露出的種子層的表面電鍍柵線電極的步驟包括：在所述掩膜層暴露出的種子層的表面電鍍底層柵線電極；在所述底層柵線電極背離所述半導體襯底層的一側表面形成頂層柵線電極；所述頂層柵線電極的熔點小于所述底層柵線電極的熔點，且所述底層柵線電極的導電率大于所述頂層柵線電極的導電率；

優選的，所述底層柵線電極的材料包括銅，所述頂層柵線電極的材料包括錫；

優選的，所述底層柵線電極的厚度為3μm～15μm；所述頂層柵線電極的厚度為0.3μm～3μm。