[發明專利]一種基于拓撲絕緣體光電效應的手性分子探測器在審
| 申請號： | 202210127459.2 | 申請日： | 2022-02-11 |
| 公開（公告）號： | CN114486751A | 公開（公告）日： | 2022-05-13 |
| 發明（設計）人： | 邵雅斌;陳晨;邵文成;賈煬;吳桐;馮恒利;劉佳;于海龍 | 申請（專利權）人： | 浙江樹人學院（浙江樹人大學） |
| 主分類號： | G01N21/21 | 分類號： | G01N21/21 |
| 代理公司： | 重慶萃智邦成專利代理事務所(普通合伙) 50231 | 代理人： | 許攀 |
| 地址： | 312028 浙江省紹*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 拓撲 絕緣體 光電效應 手性 分子 探測器 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于拓撲絕緣體光電效應的手性分子探測器，其特征在于，包括柵極、絕緣層、拓撲絕緣體層、源極、漏極，所述柵極置于所述絕緣層的底部，所述拓撲絕緣體層置于所述絕緣層上，所述源極和所述漏極置于所述拓撲絕緣體層上；應用時，手性分子置于所述拓撲絕緣體層上所述源極和所述漏極之間，同時應用圓偏振光照射所述手性分子。
2.如權利要求1所述的基于拓撲絕緣體光電效應的手性分子探測器，其特征在于：所述柵極的材料為金或銦鎵合金。
3.如權利要求1所述的基于拓撲絕緣體光電效應的手性分子探測器，其特征在于：所述源極和所述漏極的材料為金或銀或鉑。
4.如權利要求1所述的基于拓撲絕緣體光電效應的手性分子探測器，其特征在于：所述絕緣層的材料為二氧化硅。
5.如權利要求1所述的基于拓撲絕緣體光電效應的手性分子探測器，其特征在于：所述拓撲絕緣體層的材料為碲化鉍或硒化鉍或碲化銻。
6.如權利要求1所述的基于拓撲絕緣體光電效應的手性分子探測器，其特征在于：所述拓撲絕緣體層表面設有凹槽，所述手性分子置于所述凹槽內。
7.如權利要求6所述的基于拓撲絕緣體光電效應的手性分子探測器，其特征在于：所述凹槽為圓形。
8.如權利要求6所述的基于拓撲絕緣體光電效應的手性分子探測器，其特征在于：所述凹槽為環形。
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