[發明專利]具有使用選擇性生長形成的底部部分的堆疊過孔

在審

• 申請號: 202210125603.9
• 申請日: 2022-02-10
• 公開（公告）號: CN115084085A
• 公開（公告）日: 2022-09-20
• 發明（設計）人: A·C-H·韋;G·布歇
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L23/528;H01L21/768
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 鄔少俊

1.一種集成電路(IC)結構，包括：

支撐結構；

位于所述支撐結構之上的第一金屬化層和第二金屬化層，其中，所述第一金屬化層包括底部導電線，所述第二金屬化層包括頂部導電線，并且所述第一金屬化層位于所述支撐結構與所述第二金屬化層之間；以及

過孔，所述過孔具有耦合至所述底部導電線的底部過孔部分和耦合至所述頂部導電線的頂部過孔部分，

其中：

所述底部過孔部分沿平行于所述支撐結構的平面的第一軸的尺寸基本上等于所述底部導電線沿所述第一軸的尺寸，并且

所述底部過孔部分沿平行于所述支撐結構的所述平面的第二軸的尺寸基本上等于所述頂部導電線沿所述第二軸的尺寸，所述第二軸不同于所述第一軸。

2.根據權利要求1所述的IC結構，其中，所述頂部過孔部分沿所述第二軸的尺寸基本上等于所述頂部導電線沿所述第二軸的尺寸。

3.根據權利要求1所述的IC結構，其中：

所述底部過孔部分的第一面與所述底部導電線的第一側壁基本上位于單個平面內，并且

所述底部過孔部分的第二面與所述底部導電線的第二側壁基本上位于單個平面內，其中，所述底部過孔部分的所述第二面與所述底部過孔部分的所述第一面相對。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的IC結構，其中：

所述頂部過孔部分的第三面與所述頂部導電線的第一側壁基本上位于單個平面內，并且

所述頂部過孔部分的第四面與所述頂部導電線的第二側壁基本上位于單個平面內，其中，所述頂部過孔部分的所述第四面與所述頂部過孔部分的所述第三面相對。

5.根據權利要求1-3中任一項所述的IC結構，其中：

所述底部過孔部分的第三面與所述頂部導電線的第一側壁基本上位于單個平面內，并且

所述底部過孔部分的第四面與所述頂部導電線的第二側壁基本上位于單個平面內，其中，所述底部過孔部分的所述第四面與所述底部過孔部分的所述第三面相對。

6.根據權利要求1-3中任一項所述的IC結構，其中：

所述底部過孔部分和頂部過孔部分中的每者具有第一面、第二面、第三面和第四面，其中，所述第二面與所述第一面相對，并且其中，所述第四面與所述第三面相對，

所述底部過孔部分的所述第一面與所述底部導電線的第一側壁位于單個平面內，

所述底部過孔部分的所述第二面與所述底部導電線的第二側壁位于單個平面內，

所述頂部過孔部分的所述第三面與所述頂部導電線的第一側壁位于單個平面內，并且

所述頂部過孔部分的所述第四面與所述頂部導電線的第二側壁位于單個平面內。

7.根據權利要求6所述的IC結構，其中，所述底部過孔部分的所述第一面與所述第二面之間的距離小于所述頂部過孔部分的所述第一面與所述第二面之間的距離。

8.根據權利要求6所述的IC結構，其中，所述頂部過孔部分的所述第三面與所述第四面之間的距離基本上與所述底部過孔部分的所述第三面與所述第四面之間的距離相同。

9.根據權利要求6所述的IC結構，其中，所述底部過孔部分的所述第一面和所述第二面中的每者是基本上平直的。

10.根據權利要求6所述的IC結構，其中，所述底部過孔部分的所述第三面與所述第四面中的每者是基本上平直的。