[發明專利]硅氧化物的制備裝置在審
| 申請號: | 202210125140.6 | 申請日: | 2022-02-10 |
| 公開(公告)號: | CN115364510A | 公開(公告)日: | 2022-11-22 |
| 發明(設計)人: | 楊瑜民;林煌偉;許松林 | 申請(專利權)人: | 中美矽晶制品股份有限公司 |
| 主分類號: | B01D7/02 | 分類號: | B01D7/02;H01M4/48;H01M10/0525;C01B33/12 |
| 代理公司: | 北京偉思知識產權代理事務所(普通合伙) 11725 | 代理人: | 聶寧樂;付艷紅 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科學*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 氧化物 制備 裝置 | ||
1.一種硅氧化物的制備裝置,包含:
一加熱爐,內部具有由一隔熱材料圍設形成的一加熱區;
一加熱裝置,設置于所述加熱區中;
一坩堝,設置于所述加熱區中,用以容置一固態原料,所述固態原料包括二氧化硅及硅,所述坩堝具有一上開口;
一沉積盒,設置于所述加熱區與所述加熱爐的內爐壁之間,所述沉積盒具有至少一個入氣口及一出氣口,所述沉積盒包含至少一個吸附件并設置于所述沉積盒的內部空間中,所述至少一個吸附件的表面材質包含碳;
至少一個排氣管道,具有一第一端及一第二端,所述第一端設置于鄰近所述坩堝的所述上開口的位置,所述第二端與所述沉積盒的所述至少一個入氣口連通;以及
一抽氣裝置,與所述沉積盒的所述出氣口連通。
2.如權利要求1所述的硅氧化物的制備裝置,其中,所述至少一個吸附件與所述至少一個入氣口間相隔一距離,所述距離為3~13cm。
3.如權利要求2所述的硅氧化物的制備裝置,其中,所述至少一個吸附件具有一長軸向,所述長軸向的延伸線通過所述至少一個入氣口。
4.如權利要求3所述的硅氧化物的制備裝置,其中,所述至少一個吸附件的數量為多個,所述多個吸附件中的一個具有所述長軸向。
5.如權利要求3所述的硅氧化物的制備裝置,其中,所述至少一個吸附件為棒狀,所述至少一個吸附件具有相對的一第三端及一第四端,所述第四端相對所述第三端設置于接近所述至少一個入氣口的位置。
6.如權利要求5所述的硅氧化物的制備裝置,其中,所述沉積盒包含一隔板以及相對設置的一頂板及一底板,所述頂板具有所述出氣口,所述底板具有所述至少一個入氣口,所述隔板設置于所述頂板及所述底板之間,所述至少一個吸附件設置于所述隔板與所述底板之間,所述至少一個吸附件的所述第三端連接于所述隔板。
7.如權利要求6所述的硅氧化物的制備裝置,其中,所述隔板與所述沉積盒的側壁間具有至少一個間距,所述出氣口與所述至少一個入氣口通過所述至少一個間距相連通。
8.如權利要求7所述的硅氧化物的制備裝置,其中,所述沉積盒包含一盒體及一盒蓋,所述盒體具有一側開口,所述盒蓋用以封閉所述側開口,所述隔板連接于所述盒蓋上。
9.如權利要求3所述的硅氧化物的制備裝置,其中,所述多個吸附件以彼此間隔一距離的方式排列。
10.如權利要求1所述的硅氧化物的制備裝置,其中,所述沉積盒包含相對設置的一頂板及一底板,所述頂板具有所述出氣口,所述底板具有所述至少一個入氣口,所述至少一個吸附件連接于所述頂板。
11.如權利要求1至10中任一項所述的硅氧化物的制備裝置,其中,所述至少一個吸附件為石墨或碳/碳復合材制成。
12.如權利要求7中所述的硅氧化物的制備裝置,其中,所述至少一個間距為5~10公分。
13.如權利要求1所述的硅氧化物的制備裝置,其中,所述至少一個入氣口及所述至少一個排氣管道的數量分別為多個并對應連通。
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