[發(fā)明專利]顯示面板及其制作方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210124532.0
• 申請(qǐng)日: 2022-02-10
• 公開（公告）號(hào): CN114551542A
• 公開（公告）日: 2022-05-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬倩;周星宇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/32
• 分類號(hào): H01L27/32;H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 呂姝娟

本發(fā)明實(shí)施例公開了一種顯示面板及其制作方法；該顯示面板包括多個(gè)第一薄膜晶體管和該第一薄膜晶體管電性連接的第二薄膜晶體管，該第一薄膜晶體管包括第一有源層、及和該第一有源層電連接的第一源漏極層，該顯示面板還包括陽(yáng)極層，該陽(yáng)極層包括位于該第一源漏極層與該第一有源層之間的第一部分、及由該第一部分向遠(yuǎn)離對(duì)應(yīng)該第一有源層延伸的第二部分；本發(fā)明通過(guò)一道光罩，一同形成有重疊部分的第一源漏極層和陽(yáng)極層，實(shí)現(xiàn)第一源漏極層與陽(yáng)極層電連接的同時(shí)，降低了膜層厚度，減少了光罩?jǐn)?shù)量，降低了成本，簡(jiǎn)化了工藝流程，提高了生產(chǎn)率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，具體涉及一種顯示面板及其制作方法。

背景技術(shù)

近些年，顯示面板的厚度及制作成本受到廣泛關(guān)注，源漏極層和陽(yáng)極層之間的連接，通常需要經(jīng)過(guò)源漏極層和陽(yáng)極層之間的絕緣層的過(guò)孔，導(dǎo)致膜層的厚度增大，還需要多個(gè)不同光罩進(jìn)行圖案化處理，導(dǎo)致成本增高，工藝流程冗余，不利于良性生產(chǎn)。

因此，亟需一種顯示面板及其制作方法以解決上述技術(shù)問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種顯示面板及其制作方法，可以優(yōu)化目前源漏極層和陽(yáng)極層之間制作工藝流程及結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明提供了一種顯示面板，包括多個(gè)第一薄膜晶體管和所述第一薄膜晶體管電性連接的第二薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管包括第一有源層、及和所述第一有源層電連接的第一源漏極層；

其中，所述顯示面板還包括陽(yáng)極層，所述陽(yáng)極層包括位于所述第一源漏極層與所述第一有源層之間的第一部分、及由所述第一部分向遠(yuǎn)離對(duì)應(yīng)所述第一有源層延伸的第二部分。

優(yōu)選的，所述第一源漏極層在所述陽(yáng)極層上的正投影位于所述第一部分之內(nèi)或者與所述第一部分重合。

優(yōu)選的，所述第二薄膜晶體管包括第二有源層、及和所述第二有源層電連接的第二源漏極層；其中，所述第一有源層和所述第二有源層同層設(shè)置。

優(yōu)選的，所述第一薄膜晶體管還包括位于所述第一有源層上的第一柵絕緣層、位于所述第一柵絕緣層上的第一柵極層、位于所述第一柵極層上的層間絕緣層、位于所述層間絕緣層上的第二柵極層、及位于所述第二柵極層上的平坦層，所述陽(yáng)極層和所述第一源漏極層位于所述平坦層上；所述第二薄膜晶體管還包括位于所述第二有源層上的第二柵絕緣層、位于所述第二柵絕緣層上的第三柵極層、及位于所述第三柵極層上的所述層間絕緣層，所述第二源漏極層位于所述層間絕緣層上；其中，所述第一柵極層和所述第三柵極層同層設(shè)置，所述第二柵極層和所述第二源漏極層同層設(shè)置。

優(yōu)選的，所述顯示面板還包括位于所述第二有源層遠(yuǎn)離所述第三柵極層一側(cè)的金屬遮光層，所述第二源漏極層與所述金屬遮光層電連接；其中，所述第二有源層在所述金屬遮光層上的正投影位于所述金屬遮光層內(nèi)。

優(yōu)選的，所述第一源漏極層與所述金屬遮光層電連接。

優(yōu)選的，所述第一有源層的材料包括低溫多晶硅，所述第二有源層的材料包括金屬氧化物。

優(yōu)選的，所述第一源漏極層包括位于所述第一部分上的導(dǎo)電接觸層、位于所述導(dǎo)電接觸層上的主體導(dǎo)電層、及位于所述主體導(dǎo)電層上的導(dǎo)電保護(hù)層；所述陽(yáng)極層的材料為透明氧化銦錫。

本發(fā)明還提供了一種顯示面板的制作方法，包括：

提供一襯底；

在所述襯底上依次形成陽(yáng)極材料層和第一源漏極材料層；

利用半色調(diào)光罩，將所述第一源漏極材料層形成第一源漏極層，將所述陽(yáng)極材料層形成位于所述第一源漏極層靠近所述襯底一側(cè)的第一部分、及由所述第一部分向遠(yuǎn)離對(duì)應(yīng)所述第一源漏極層延伸的第二部分。