[發(fā)明專利]自動(dòng)取片方法、自動(dòng)取片控制系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210123154.4 | 申請(qǐng)日: | 2022-02-10 |
| 公開(公告)號(hào): | CN114156216B | 公開(公告)日: | 2022-06-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王欣松 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 紹興中芯集成電路制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/677 | 分類號(hào): | H01L21/677;H01L21/67 |
| 代理公司: | 紹興市知衡專利代理事務(wù)所(普通合伙) 33277 | 代理人: | 鄧愛民 |
| 地址: | 312000 浙江省*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 自動(dòng) 方法 控制系統(tǒng) 計(jì)算機(jī) 存儲(chǔ) 介質(zhì) | ||
1.一種自動(dòng)取片方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1:選擇晶圓盒的第X格槽為真空測試格槽,所述第X格槽下方的格槽上均無晶圓,從所述真空測試格槽下方距離mx位置插入機(jī)械臂;對(duì)于任意X,對(duì)應(yīng)的mX所述晶圓盒中的晶圓的最大形變量;
S2:向上移動(dòng)所述機(jī)械臂至所述真空測試格槽,開啟與所述機(jī)械臂上的吸附孔相連接的抽真空裝置;
S3:獲取所述吸附孔的真空值,若所述真空值大于或等于真空閾值,則判斷所述真空測試格槽上有晶圓且所述機(jī)械臂已吸附所述真空測試格槽上的晶圓,放置有晶圓的所述真空測試格槽作為所述機(jī)械臂的取片格槽,所述機(jī)械臂將所述取片格槽上的晶圓取出并退出晶圓盒,并重復(fù)執(zhí)行步驟S1、S2、S3,直至取完待取晶圓;若所述真空值小于真空閾值,則判斷所述真空測試格槽上無晶圓,選擇所述真空測試格槽上方的最鄰近格槽為新的真空測試格槽,并重復(fù)步驟S2、S3,直至取完待取晶圓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種自動(dòng)取片方法,其特征在于:初始選擇所述晶圓盒的第1格槽為所述真空測試格槽,所述第1格槽為晶圓盒最下方的格槽。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種自動(dòng)取片方法,其特征在于:若最鄰近一次的所述取片格槽為第N格槽,則X=N+1。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種自動(dòng)取片方法,其特征在于:步驟S1中,對(duì)于不同的X,對(duì)應(yīng)的mx值相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種自動(dòng)取片方法,其特征在于:步驟S1中,X滿足條件:X為定值1,所述第1格槽為晶圓盒最下方的格槽。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種自動(dòng)取片方法,其特征在于:步驟S3中,所述機(jī)械臂退出晶圓盒以進(jìn)行取片之前,還包括:機(jī)械臂向上移動(dòng)距離k以抬起吸附的晶圓,所述距離k小于相鄰格槽間距。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種自動(dòng)取片方法,其特征在于:步驟S3中,若所述真空值小于真空閾值,則關(guān)閉所述抽真空裝置,再重復(fù)步驟S2、S3。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種自動(dòng)取片方法,其特征在于:所述真空閾值在大于50KPa數(shù)值范圍取值。
9.一種自動(dòng)取片控制系統(tǒng),用于實(shí)現(xiàn)權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的自動(dòng)取片方法,其特征在于,包括:
選擇模塊,用于選擇真空測試格槽進(jìn)行真空吸附測試;
機(jī)械臂控制模塊,用于控制所述機(jī)械臂的移動(dòng)以及所述抽真空裝置;
判斷模塊,用于判斷所述吸附孔的真空值是否大于或等于所述真空閾值。
10.一種計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì),其特征在于,所述計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì)存儲(chǔ)有自動(dòng)取片的程序,所述自動(dòng)取片程序被執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述自動(dòng)取片方法。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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