[發(fā)明專利]一種基于帶寬增強(qiáng)型FBAR濾波器的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210123142.1
• 申請(qǐng)日: 2022-02-10
• 公開（公告）號(hào): CN114157259B
• 公開（公告）日: 2022-05-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 不公告發(fā)明人
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳新聲半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H03H3/02
• 分類號(hào): H03H3/02;H03H9/64
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種基于帶寬增強(qiáng)型FBAR濾波器的制造方法，其特征在于，包括：

在基體上預(yù)先刻蝕出呈對(duì)稱排布的空腔矩陣；

在所述空腔矩陣內(nèi)通過(guò)沉積二氧化硅，并涂覆鈮酸鋰晶體薄膜，構(gòu)成布拉格反射層；

在所述布拉格反射層上方設(shè)置呈蓋狀的底電極，覆蓋每個(gè)空腔，并在所述底電極上設(shè)置有與所述底電極材質(zhì)相同的支撐柱；

在相鄰的底電極之間進(jìn)行氧化鋅直流磁控濺射，構(gòu)成氧化鋅層；其中，

所述氧化鋅層的填充高度不超過(guò)所述蓋狀的底電極的上蓋面；

在所述氧化鋅層上進(jìn)行制備介電層；其中，

所述介電層通過(guò)氮化鋁沉積填充構(gòu)成；

在所述介電層上通過(guò)直流磁控濺射鍍膜的方式構(gòu)成厚膜層，并在所述厚膜層上進(jìn)行光刻和蝕刻，構(gòu)成頂電極。

2.如權(quán)利要求1所述的一種基于帶寬增強(qiáng)型FBAR濾波器的制造方法，其特征在于，所述空腔矩陣內(nèi)的空腔為Y型空腔，并且所述Y型空腔的底部相連接，所述Y型空腔的V角朝外。

3.如權(quán)利要求1所述的一種基于帶寬增強(qiáng)型FBAR濾波器的制造方法，其特征在于，所述頂電極通過(guò)圖形化定義蝕刻；

所述頂電極分為三層結(jié)構(gòu)；其中，

所述三層結(jié)構(gòu)包括：硅碳氮薄膜層、電介質(zhì)層和鉭層；其中，

所述硅碳氮薄膜層由硅碳氮涂敷構(gòu)成；

所述硅碳氮薄膜層上通過(guò)直流磁控濺射鍍膜構(gòu)成厚膜層；所述厚膜層由所述電介質(zhì)層和鉭層混合構(gòu)成；

所述三層結(jié)構(gòu)中鉭層為表面層，在所述鉭層上連接焊盤。

4.如權(quán)利要求1所述的一種基于帶寬增強(qiáng)型FBAR濾波器的制造方法，其特征在于，所述介電層上設(shè)置有安裝支撐柱的通孔；

在所述通孔上形成有通孔密封層，以將所述通孔封閉；

在所述空腔外殼上、所述支撐柱開口內(nèi)以及所述通孔密封層上形成空腔外殼鈍化層，并在所述空腔外殼鈍化層上形成電極引線，所述電極引線與所述支撐柱接觸。

5.如權(quán)利要求1所述的一種基于帶寬增強(qiáng)型FBAR濾波器的制造方法，其特征在于，所述方法還包括：

在所述基體表面兩側(cè)通過(guò)圖形化金屬鍍層，分別生成電容層和電感層；

通過(guò)所述底電極和頂電極連接所述電容層和電感層。

6.如權(quán)利要求4所述的一種基于帶寬增強(qiáng)型FBAR濾波器的制造方法，其特征在于，所述方法還包括：

在所述基體側(cè)面形成引出所述電極引線的通孔；其中，

所述通孔包括第一通孔和第二通孔；

在所述第一通孔和第二通孔中形成導(dǎo)電插塞；

所述第一通孔引出所述底電極的電極引線；

所述第二通孔引出所述頂電極的電極引線。

7.如權(quán)利要求1所述的一種基于帶寬增強(qiáng)型FBAR濾波器的制造方法，其特征在于，所述方法還包括：

在所述頂電極和基體上進(jìn)行外延層延伸；其中，

所述外延層包括第一外延層和第二外延層；

所述第一外延層設(shè)置在所述頂電極上；

所述第二外延層設(shè)置在所述基體側(cè)面。

8.如權(quán)利要求7所述的一種基于帶寬增強(qiáng)型FBAR濾波器的制造方法，其特征在于，所述方法還包括：

刻蝕所述第一外延層和所述第二外延層時(shí)，形成隔離凹槽；

通過(guò)所述隔離凹槽，在濾波器外延結(jié)構(gòu)上添加濾波器正面組件；其中，

所述濾波器正面組件包括：功率放大器；

在所述濾波器正面組件和所述功率放大器之間設(shè)置連線引線。

9.如權(quán)利要求1所述的一種基于帶寬增強(qiáng)型FBAR濾波器的制造方法，其特征在于，所述方法還包括：

在形成底電極的同時(shí)，在所述布拉格反射層的上表面形成與不同空腔對(duì)應(yīng)的底電極之間連接引線；

通過(guò)所述連接引線，將不同的空腔進(jìn)行并聯(lián)。

10.如權(quán)利要求3所述的一種基于帶寬增強(qiáng)型FBAR濾波器的制造方法，其特征在于，所述方法還包括：

在所述厚膜層上圖形化定義頂電極圖案；

對(duì)頂電極進(jìn)行第一次刻蝕，構(gòu)成導(dǎo)電層；

采用灰化工藝除去殘留在所述導(dǎo)電層上的有機(jī)物；

在去除所述有機(jī)物后，通過(guò)光刻膠涂敷在所述鉭層上；

并對(duì)涂敷所述光刻膠后的鉭層進(jìn)行光刻，生成所述焊盤的嵌入圖形，并將焊盤嵌入。