[發(fā)明專利]一種顯示面板和顯示裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210121502.4
• 申請日: 2022-02-09
• 公開（公告）號(hào): CN114464757A
• 公開（公告）日: 2022-05-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王磊;代好;王美紅;馬揚(yáng)昭
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢天馬微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/52
• 分類號(hào): H01L51/52;H01L27/32
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 楊義

1.一種顯示面板，其特征在于，包括光學(xué)部件區(qū)；

所述光學(xué)部件區(qū)包括襯底、絕緣層和第一電極；

所述絕緣層包括第一絕緣層和第二絕緣層，所述第二絕緣層位于所述第一絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)，所述第一絕緣層包括與所述第二絕緣層接觸的第一子絕緣層；

所述第一電極位于所述第二絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)，所述第一子絕緣層中設(shè)置有至少一個(gè)第一絕緣開口；在所述顯示面板的厚度方向上，所述第二絕緣層覆蓋所述第一絕緣開口，所述第一電極與所述第一絕緣開口至少部分交疊。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述第一絕緣層還包括位于所述第一子絕緣層靠近所述襯底一側(cè)的至少一層第二子絕緣層；

至少接觸所述第一子絕緣層的一個(gè)所述第二子絕緣層中設(shè)置有至少一個(gè)第二絕緣開口；在所述顯示面板的厚度方向上，所述第二絕緣開口與所述第一絕緣開口至少部分交疊；

所述第二絕緣層填充所述第一絕緣開口和所述第二絕緣開口。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板，其特征在于，任一所述第二子絕緣層中均設(shè)置有至少一個(gè)第二絕緣開口。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，在所述顯示面板的厚度上，所述第一電極覆蓋所述第一絕緣開口。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示面板，其特征在于，所述第一絕緣層中設(shè)置有一個(gè)第一絕緣開口，且所述第一絕緣開口的開口面積為S1，所述第一電極的覆蓋面積為S2，其中，0≤(S2-S1)/S1≤10％。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述顯示面板還包括位于所述第二絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的像素限定層，所述像素限定層中設(shè)置有第一像素開口，所述第一像素開口暴露所述第一電極；

在所述顯示面板的厚度方向上，所述第一像素開口與所述第一絕緣開口不交疊。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述顯示面板還包括位于所述第二絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的像素限定層，所述像素限定層中設(shè)置有第二像素開口，所述第二像素開口暴露所述第一電極；

在所述顯示面板的厚度方向上，所述第一絕緣開口覆蓋所述第二像素開口。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述顯示面板還包括位于所述第二絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的像素限定層，所述像素限定層中設(shè)置有第三像素開口，所述第三像素開口暴露所述第一電極；

在所述顯示面板的厚度方向上，所述第三像素開口與所述第一絕緣開口部分交疊。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述顯示面板還包括第一像素電路，所述第一像素電路與所述第一電極電連接；

所述第一像素電路包括薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括有源層、源漏極以及位于所述有源層與所述源漏極之間的層間絕緣層，所述層間絕緣層中設(shè)置有源漏過孔，所述源漏極通過所述源漏過孔與所述有源層電連接；

所述第一絕緣層包括所述層間絕緣層，所述第一絕緣開口包括與所述源漏過孔同一工藝制備的過孔。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述光學(xué)部件區(qū)還包括補(bǔ)償結(jié)構(gòu)，所述補(bǔ)償結(jié)構(gòu)包括至少一層補(bǔ)償膜層；

在所述顯示面板的厚度方向上，所述第一電極與所述補(bǔ)償結(jié)構(gòu)至少部分交疊。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示面板，其特征在于，所述第一電極覆蓋所述補(bǔ)償結(jié)構(gòu)。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示面板，其特征在于，所述補(bǔ)償膜層包括金屬補(bǔ)償膜層。