[發(fā)明專利]具有結合結構的半導體光電元件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210117460.7 | 申請日: | 2022-02-08 |
| 公開(公告)號: | CN114582997A | 公開(公告)日: | 2022-06-03 |
| 發(fā)明(設計)人: | 文兵 | 申請(專利權)人: | 上海欣軾代機動車檢測有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/048 | 分類號: | H01L31/048;H01L31/16;H02S20/32 |
| 代理公司: | 上海邦德專利代理事務所(普通合伙) 31312 | 代理人: | 崔雙雙 |
| 地址: | 201602 上海市青浦區(qū)*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 結合 結構 半導體 光電 元件 | ||
本發(fā)明涉及半導體光電元件技術領域,且公開了具有結合結構的半導體光電元件,包括底座,所述底座的頂部開設有凹槽,所述底座頂部開設的凹槽內通過螺釘安裝有第一驅動電機,所述第一驅動電機的輸出端焊接有第一轉軸,所述第一轉軸的外壁頂部焊接有軸承,所述軸承的內圈頂部焊接有齒輪,所述底座的頂部轉動連接有齒圈,該裝置結構簡單,設計新穎,保證太陽能板和光敏電阻在最佳的光照條件下工作,從而提高太陽能板和光敏電阻的工作效率,提高裝置的實用性,避免光敏電阻在光照的同時溫度升高,增加光敏電阻的阻值,且防止半導體光電元件表面氧化,有利于延長半導體光電元件的使用壽命,適合廣泛推廣。
技術領域
本發(fā)明涉及半導體光電元件技術領域,具體為具有結合結構的半導體光電元件。
背景技術
半導體光電元件大致分為兩類:一類是將電能轉換為光能的發(fā)光元件;一類是把光能轉換為電能的光敏元件,半導體光電器件引是把光和電這兩種物理量聯(lián)系起來,使光和電互相轉化的新型半導體器件,即利用半導體的光電效應(或熱電效應)制成的器件。
半導體光電元件的普及越來越廣泛,應用較多,如太陽能板和光敏電阻等,現(xiàn)有的半導體光電元件在使用時表面易氧化,降低半導體光電元件的使用性能,且防止光敏電阻內的半導體光電元件在光照的同時溫度升高,增加光敏電阻的阻值,增加電流的耗損,且不便于增加太陽能板和光敏電阻的光照條件,實用性較差。
發(fā)明內容
(一)解決的技術問題
針對現(xiàn)有技術的不足,本發(fā)明提供了具有結合結構的半導體光電元件,具備保證太陽能板和光敏電阻在最佳的光照條件下工作,提高太陽能板和光敏電阻的工作效率,避免光敏電阻在光照的同時溫度升高,增加光敏電阻的阻值,且防止半導體光電元件表面氧化的優(yōu)點,解決了現(xiàn)有的半導體光電元件在使用時表面易氧化,降低半導體光電元件的使用性能,且防止光敏電阻內的半導體光電元件在光照的同時溫度升高,增加光敏電阻的阻值,增加電流的耗損,且不便于增加太陽能板和光敏電阻的光照條件,實用性較差的問題。
(二)技術方案
為實現(xiàn)上述保證太陽能板和光敏電阻在最佳的光照條件下工作,提高太陽能板和光敏電阻的工作效率,避免光敏電阻在光照的同時溫度升高,增加光敏電阻的阻值,且防止半導體光電元件表面氧化的目的,本發(fā)明提供如下技術方案:具有結合結構的半導體光電元件,包括底座,所述底座的頂部開設有凹槽,所述底座頂部開設的凹槽內通過螺釘安裝有第一驅動電機,所述第一驅動電機的輸出端焊接有第一轉軸,所述第一轉軸的外壁頂部焊接有軸承,所述軸承的內圈頂部焊接有齒輪,所述底座的頂部轉動連接有齒圈,所述齒輪的外圈與齒圈的內圈嚙合,所述齒圈的頂部通過螺釘安裝有電動推桿。
優(yōu)選的,所述第一轉軸的外壁與軸承的內圈內壁焊接,所述軸承的外圈外壁與底座頂部開設的凹槽內壁焊接,所述第一轉軸的頂部與齒輪的內壁焊接。
優(yōu)選的,所述電動推桿的頂部通過螺釘安裝有太陽能板,所述太陽能板的右側通過螺釘安裝有光感傳感器,所述底座的頂部通過螺釘安裝有固定架,所述固定架的正面開設有通孔,所述固定架正面開設的通孔內放置有銷軸,所述銷軸的頂部與太陽能板的底部通過螺釘連接。
優(yōu)選的,所述太陽能板的正面通過螺釘安裝有固定板,所述固定板的正面通過螺釘安裝有光敏電阻,所述光敏電阻與太陽能板電性連接,所述太陽能板和光敏電阻的頂部均設置有吸光層,所述吸光層包括銀粉層和二氧化硅層,所述銀粉層設有兩個,所述銀粉層相互靠近的一側分別與二氧化硅層的兩側連接。
優(yōu)選的,所述吸光層的頂部表面為刻有正方形槽,所述正方形槽設有多個,且呈矩形陣列排布。
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- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





