[發明專利]一種鈮酸鋰光芯片脊形波導的制備方法

在審

• 申請號: 202210116501.0
• 申請日: 2022-02-07
• 公開（公告）號: CN114280890A
• 公開（公告）日: 2022-04-05
• 發明（設計）人: 陳小強
• 申請（專利權）人: 上海圖靈智算量子科技有限公司
• 主分類號: G03F7/11
• 分類號: G03F7/11;G03F7/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種鈮酸鋰光芯片脊形波導制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟S1，在襯底上由下到上依次設置鈮酸鋰層、阻擋層、硬掩膜層；

步驟S2，在所述硬掩膜層上涂覆光刻膠，利用所述光刻膠曝光顯影后，得到預定圖案；

步驟S3，基于所述預定圖案，刻蝕所述硬掩膜層，并刻蝕停止于所述阻擋層，在所述硬掩膜層上得到具有多個條狀結構的第一區域與具有多個條狀結構的第二區域；

步驟S4，基于所述硬掩膜層，移除所述光刻膠；

步驟S5，刻蝕所述阻擋層；

步驟S6，刻蝕所述鈮酸鋰層，得到鈮酸鋰脊形波導；

步驟S7，移除所述阻擋層與所述硬掩膜層。

2.根據權利要求1所述的鈮酸鋰光芯片脊形波導制備方法，其特征在于：

其中，所述第一區域中所述條狀結構的單位面積的密度大于所述第二區域中所述條狀結構的單位面積的密度。

3.根據權利要求2所述的鈮酸鋰光芯片脊形波導制備方法，其特征在于：

其中，所述第一區域中所述條狀結構并排設置，所述第二區域中所述條狀結構并排設置。

4.根據權利要求3所述的鈮酸鋰光芯片脊形波導制備方法，其特征在于：

其中，步驟3中，在刻蝕所述硬掩膜層的過程中，將所述第一區域中相鄰兩個條狀結構之間的所述硬掩膜層的表面到所述襯底底面的高度記為H1，所述鈮酸鋰層的表面到所述襯底底面的高度記為H2，H1-H2H3，

H3為所述阻擋層的最大高度。

5.根據權利要求4所述的鈮酸鋰光芯片脊形波導制備方法，其特征在于：

其中，在刻蝕停止于所述阻擋層時，所述第一區域中所述阻擋層到所述襯底底面的高度等于所述第二區域中所述阻擋層到所述襯底底面的高度。

6.根據權利要求1所述的鈮酸鋰光芯片脊形波導制備方法，其特征在于：

其中，所述襯底由下到上包括硅襯底、二氧化硅緩沖層。

7.一種鈮酸鋰光芯片脊形波導制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟S1，在襯底上由下到上依次設置鈮酸鋰層、阻擋層、硬掩膜層；

步驟S2，在所述硬掩膜層上涂覆光刻膠，利用所述光刻膠曝光顯影后，得到預定圖案；

步驟S3，基于所述預定圖案，刻蝕所述硬掩膜層，并刻蝕停止于所述阻擋層，在所述硬掩膜層上得到具有多個條狀結構的第一區域與具有多個條狀結構的第二區域；

步驟S4，基于所述硬掩膜層與所述光刻膠，刻蝕所述阻擋層；

步驟S5，刻蝕所述鈮酸鋰層，得到鈮酸鋰脊形波導；

步驟S6，移除所述光刻膠、所述硬掩膜層以及所述阻擋層。

8.一種鈮酸鋰光芯片脊形波導制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟S1，在襯底上由下到上依次設置鈮酸鋰層、阻擋層、硬掩膜層；

步驟S2，在所述硬掩膜層上涂覆光刻膠，利用所述光刻膠曝光顯影后，得到預定圖案；

步驟S3，基于所述預定圖案，刻蝕所述硬掩膜層，并刻蝕停止于所述阻擋層，在所述硬掩膜層上得到具有多個條狀結構的第一區域與具有多個條狀結構的第二區域；

步驟S4，刻蝕所述阻擋層；

步驟S5，刻蝕所述鈮酸鋰層，得到鈮酸鋰脊形波導。

9.根據權利要求8所述的鈮酸鋰光芯片脊形波導制備方法，其特征在于：

其中，在步驟S4之前，保留所述光刻膠，基于所述光刻膠與所述硬掩膜層，刻蝕所述阻擋層。

10.根據權利要求8所述的鈮酸鋰光芯片脊形波導制備方法，其特征在于：

其中，在步驟S4之前，移除所述光刻膠，基于所述硬掩膜層，刻蝕所述阻擋層。