[發(fā)明專利]磁盤(pán)裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210115930.6
• 申請(qǐng)日: 2022-02-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN115731953A
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-03-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 木村香里;竹尾昭彥;松本拓也
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社東芝;東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G11B5/31
• 分類號(hào): G11B5/31;G11B5/40
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所 11247
• 代理人: 張謨煜;段承恩

本發(fā)明提供能抑制磁頭的劣化來(lái)實(shí)現(xiàn)可靠性的提高的磁盤(pán)裝置。根據(jù)實(shí)施方式，磁盤(pán)裝置具有：自如旋轉(zhuǎn)的盤(pán)狀的記錄介質(zhì)(12)；磁頭(16)，該磁頭具有：具有向記錄介質(zhì)施加記錄磁場(chǎng)的主磁極的寫(xiě)入頭、輔助利用主磁極的磁記錄的輔助元件、以及控制相對(duì)于記錄介質(zhì)的頭斜度的多個(gè)熱執(zhí)行器；以及磁控制器(40)，該控制器具有檢測(cè)頭的劣化的檢測(cè)部(46a、46c)，根據(jù)檢測(cè)出的劣化，通過(guò)熱執(zhí)行器而使磁頭的頭斜度變化。

關(guān)聯(lián)申請(qǐng)

本申請(qǐng)享有以日本專利申請(qǐng)2021-142663號(hào)(申請(qǐng)日：2021年9月1日)為基礎(chǔ)申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)。本申請(qǐng)通過(guò)參照該基礎(chǔ)申請(qǐng)而包括基礎(chǔ)申請(qǐng)的所有內(nèi)容。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實(shí)施方式涉及磁盤(pán)裝置。

背景技術(shù)

作為磁記錄再現(xiàn)裝置，例如，磁盤(pán)裝置具有自如旋轉(zhuǎn)的盤(pán)狀的記錄介質(zhì)和對(duì)記錄介質(zhì)的磁記錄層進(jìn)行數(shù)據(jù)的記錄、再現(xiàn)的磁頭。磁頭具有滑塊和設(shè)置于滑塊的再現(xiàn)頭以及記錄頭。為了提高記錄密度、尤其是線記錄密度，提出了具有輔助記錄功能的磁頭。

在具有輔助記錄功能的磁頭中，頭特性劣化的主要原因在于保護(hù)膜磨損所導(dǎo)致的氧化的發(fā)展。認(rèn)為其原因在于：由于在磁頭的浮起量下降了的記錄再現(xiàn)時(shí)保護(hù)膜磨損、還有輔助記錄動(dòng)作所導(dǎo)致的發(fā)熱，磁性材料的氧化發(fā)展。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的課題在于提供一種能抑制磁頭的劣化、實(shí)現(xiàn)可靠性的提高的磁盤(pán)裝置。

根據(jù)實(shí)施方式，磁盤(pán)裝置具有：自如旋轉(zhuǎn)的盤(pán)狀的記錄介質(zhì)；磁頭，該磁頭具有：具有向所述記錄介質(zhì)施加記錄磁場(chǎng)的主磁極的寫(xiě)入頭、輔助利用所述主磁極的磁記錄的輔助元件、以及控制相對(duì)于所述記錄介質(zhì)的頭斜度的多個(gè)熱執(zhí)行器；以及控制器，該控制器具有檢測(cè)所述磁頭的劣化的檢測(cè)部，根據(jù)檢測(cè)出的劣化，通過(guò)所述熱執(zhí)行器而使所述磁頭的頭斜度變化。

附圖說(shuō)明

圖1是概略性地表示第1實(shí)施方式的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器(HDD)的框圖。

圖2是概略性地表示所述HDD中的磁頭、懸架、磁盤(pán)的側(cè)視圖。

圖3是放大表示所述磁頭的頭部的剖視圖。

圖4是放大表示記錄頭的頂端部的剖視圖。

圖5是放大表示所述記錄頭的頂端部的剖視圖。

圖6是表示磁記錄時(shí)的磁頭的劣化抑制處理動(dòng)作的流程圖。

圖7是示意性地表示第2實(shí)施方式的HDD的磁頭的側(cè)視圖。

圖8是示意性地表示第3實(shí)施方式的HDD的磁頭的側(cè)視圖。

圖9是示意性地表示第4實(shí)施方式的HDD的磁頭的側(cè)視圖。

圖10是示意性地表示第5實(shí)施方式的HDD的磁頭的側(cè)視圖。

圖11是在第5實(shí)施方式中放大表示記錄頭的頂端部的剖視圖。

【標(biāo)號(hào)說(shuō)明】

10…磁盤(pán)裝置、11…盒體、12…磁盤(pán)、13…ABS、15…滑塊、16…磁頭、17…頭部、30…頭放大器IC、40…主控制器、54…再現(xiàn)頭、58…記錄頭、60…主磁極、62…尾屏蔽件、64…前導(dǎo)屏蔽件、65…磁通控制層、76a…第1加熱器(第1熱執(zhí)行器)、76b…第2加熱器(第2熱執(zhí)行器)、76c…第3加熱器(第3熱執(zhí)行器)、WG…寫(xiě)入間隙

具體實(shí)施方式

以下，參照附圖，對(duì)實(shí)施方式的磁盤(pán)裝置進(jìn)行說(shuō)明。