[發(fā)明專利]半導體結(jié)構(gòu)和形成半導體結(jié)構(gòu)的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210112359.2
• 申請日: 2022-01-29
• 公開（公告）號: CN114696057A
• 公開（公告）日: 2022-07-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 江政鴻;巫幸晃;劉家瑋
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01P7/06
• 分類號: H01P7/06;H01P11/00
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

具有兩個或多個諧振器溝槽的分級的“臺階狀”半導體結(jié)構(gòu)的裝置和制造方法。半導體結(jié)構(gòu)可包含第一諧振器和第二諧振器。第一諧振器包含第一金屬性諧振層和覆蓋板，此覆蓋板具有與第一金屬性諧振層的遠端相距第一距離的底表面。第二諧振器包含第二金屬性諧振層和所述覆蓋板，其中所述底表面與第二金屬性諧振層的遠端相距第二距離，并且其中第一距離不同于第二距離。

技術(shù)領(lǐng)域

本揭示內(nèi)容涉及包括多個諧振器溝槽的射頻諧振器半導體結(jié)構(gòu)及其形成的方法。

背景技術(shù)

嵌入式電容器用于各種應(yīng)用的半導體晶片。然而，在長時間制造期間可能會暴露在射頻應(yīng)用中所使用的半導體結(jié)構(gòu)(例如射頻腔諧振器結(jié)構(gòu))，增加了結(jié)構(gòu)損壞(包括腐蝕)的風險。

發(fā)明內(nèi)容

本揭示內(nèi)容一些實施方式提供了一種半導體結(jié)構(gòu)，包含：第一諧振器、以及第二諧振器。第一諧振器包含：第一金屬性諧振層和覆蓋板。覆蓋板具有一底表面其與第一金屬性諧振層的遠端相距第一距離。第二諧振器包含第二金屬性諧振層和所述覆蓋板。其中所述底表面與第二金屬性諧振層的遠端相距第二距離，其中第一距離不同于第二距離。

本揭示內(nèi)容另一些實施方式提供了一種半導體結(jié)構(gòu)，包含：第一諧振器以及第二諧振器。第一諧振器包含：第一金屬性諧振層和第一覆蓋板。第一覆蓋板其具有一底表面其與第一金屬性諧振層的遠端相距第一距離。第二諧振器包含：第二金屬性諧振層和第二覆蓋板。第二覆蓋板具有一底表面其與第二金屬性諧振層的遠端相距第二距離，其中第一距離不同于第二距離。

本揭示內(nèi)容又另一些實施方式提供了一種形成半導體結(jié)構(gòu)的方法，此方法包含：在基礎(chǔ)介電層之內(nèi)形成第一接觸導孔和第二接觸導孔；在鄰近于第一接觸導孔處蝕刻第一諧振器腔；在鄰近于第二接觸導孔處蝕刻第二諧振器腔，其中第二諧振器腔具有與第一諧振器腔不同的深度；在第一接觸導孔的頂表面和第二接觸導孔的頂表面以及基礎(chǔ)介電層的多個暴露的表面上方沉積金屬性阻障層；在金屬性阻障層上方沉積金屬性諧振層；在金屬性諧振層上方沉積諧振器溝槽介電層；執(zhí)行化學機械研磨(CMP)制程，直到暴露第一接觸導孔的頂表面和第二接觸導孔的頂表面，其中化學機械研磨制程物理性地分隔金屬性阻障層和金屬性諧振層的多個部分，以形成包括第一金屬性阻障層、第一金屬性諧振層、和第一諧振器溝槽介電層的第一諧振器溝槽，以及包括第二金屬性阻障層、第二金屬性諧振層、和第二諧振器溝槽介電層的第二諧振器溝槽；以及在高于基礎(chǔ)介電層、第一接觸導孔、第二接觸導孔、第一諧振器溝槽、和第二諧振器溝槽的多個暴露的表面沉積覆蓋板材料層。

附圖說明

本揭示內(nèi)容的多個態(tài)樣可由以下的詳細描述并且與所附附圖一起閱讀，得到最佳的理解。注意的是，根據(jù)產(chǎn)業(yè)界的標準慣例，各個特征并未按比例繪制。事實上，為了討論的清楚性起見，各個特征的尺寸可任意地增加或減小。

圖1A是根據(jù)本揭示內(nèi)容的實施方式在基礎(chǔ)介電層的沉積之后的示例性結(jié)構(gòu)的垂直截面視圖；

圖1B是根據(jù)本揭示內(nèi)容的實施方式在第一遮罩層的沉積之后的示例性結(jié)構(gòu)的垂直截面視圖；

圖1C是根據(jù)本揭示內(nèi)容的實施方式在第一光阻劑層的沉積和圖案化之后的示例性結(jié)構(gòu)的垂直截面視圖；

圖1D是根據(jù)本揭示內(nèi)容的實施方式在一陣列的多個導孔腔的形成之后的示例性結(jié)構(gòu)的垂直截面視圖；

圖1E是根據(jù)本揭示內(nèi)容的實施方式在移除第一遮罩層104之后的示例性結(jié)構(gòu)的垂直截面視圖；

圖1F是根據(jù)本揭示內(nèi)容的實施方式在導孔腔中金屬性填充材料層的沉積之后的示例性結(jié)構(gòu)的垂直截面視圖；

圖1G是根據(jù)本揭示內(nèi)容的實施方式在第二遮罩層和第二光阻劑層的沉積之后的示例性結(jié)構(gòu)的垂直截面視圖；

圖1H是根據(jù)本揭示內(nèi)容的實施方式在諧振器腔的形成之后的示例性結(jié)構(gòu)的垂直截面視圖；