[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 202210111398.0
• 申請日: 2022-01-29
• 公開（公告）號: CN114866076A
• 公開（公告）日: 2022-08-05
• 發明（設計）人: 田中翔;寺島知秀
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H03K17/081
• 分類號: H03K17/081;H03K17/567
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

1.一種半導體裝置，其具有：

n溝道型的第一功率開關元件，其具有一個電極、另一個電極及控制電極；

n溝道型的第二功率開關元件，其具有一個電極、另一個電極及控制電極，該第二功率開關元件的一個電極與所述第一功率開關元件的一個電極連接；

第一二極管，其陽極與所述第一功率開關元件的另一個電極連接，陰極配置于所述第二功率開關元件的另一個電極的方向上；

n溝道型的第一MOSFET，其具有一個電極、另一個電極及控制電極，該第一MOSFET的一個電極接收所述第一及第二功率開關元件用的驅動電壓，該第一MOSFET的一個電極與所述第二功率開關元件的控制電極連接，另一個電極與所述第一功率開關元件的控制電極連接，控制電極與所述第二功率開關元件的另一個電極連接；以及

電荷釋放電路，其具有以從所述第一功率開關元件的控制電極至另一個電極的方式設置的電荷釋放路徑。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述第一二極管的陰極與所述第二功率開關元件的另一個電極連接，

所述電荷釋放電路是一端與所述第一功率開關元件的控制電極連接，另一端與所述第一功率開關元件的另一個電極連接的第一電阻。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，

還具有第二二極管，該第二二極管的陽極與所述第一MOSFET的另一個電極連接，陰極與所述第一MOSFET的一個電極連接。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述電荷釋放電路包含：

n溝道型的第二MOSFET，其具有一個電極、另一個電極及控制電極，該第二MOSFET的一個電極與所述第一功率開關元件的控制電極連接，控制電極與所述第一二極管的陰極連接；

第三二極管，其陽極與所述第二MOSFET的另一個電極連接，陰極與所述第一功率開關元件的另一個電極連接；以及

第二電阻，其一端與所述第二功率開關元件的另一個電極及所述第一MOSFET的控制電極連接，另一端與所述第二MOSFET的控制電極及所述第一二極管的陰極連接。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的半導體裝置，其中，

所述第一及第二功率開關元件、所述第一二極管、所述第一MOSFET以及所述電荷釋放電路一體地設置于一個半導體基板。