[發明專利]半導體器件及其制造方法

在審

• 申請號: 202210109611.4
• 申請日: 2022-01-29
• 公開（公告）號: CN115132667A
• 公開（公告）日: 2022-09-30
• 發明（設計）人: 林亮臣
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00;H01L23/538;H01L27/118
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

本發明的實施例涉及半導體器件及其制造方法。一種半導體器件包括：第一和第二核心區域；第一和第二輸入/輸出(I/O)區域，彼此耦合并耦合至第一和第二核心區域；第一和第二I/O區域介于可消耗區域和對應的第一和第二核心區域之間；密封環，圍繞核心區域和I/O區域；金屬化層和互連層；相互通信(inter?com)段，在I/O區域之間延伸；第一和第二護壁，從密封環的第一側延伸到第三側或從對應的第三和第四護壁上的第一位置延伸到第二位置，后者從密封環的第一側延伸到第三側；第一護壁介于第一核心區域和第一I/O區域之間；并且第二護壁介于第二核心區域和第二I/O區域之間。

技術領域

本發明的實施例涉及半導體器件及其制造方法。

背景技術

集成電路(“IC”)的封裝件(“IC封裝件”)包括一個或多個半導體器件。每個半導體器件包括一個或多個集成電路。每個集成電路包括有源器件(例如，晶體管等)和無源器件(例如，電阻器、電容器等)。這種有源器件和無源器件以不同方式耦合以提供對應集成電路的功能。典型的互連結構包括橫向互連(例如，對應金屬化層中的導電段)和豎直互連(例如，對應互連層中的通孔結構和“晶體管層”中的接觸結構)。

IC封裝件的典型制造如下。從半導體材料(例如，硅)的錠上切割襯底，其具有平坦的圓形形狀，并且被稱為晶圓。在晶圓上形成多個半導體器件。晶圓的表面被分成小的矩形區域。在每個矩形區域上形成半導體器件。在制造過程中的某個時刻，通過切割(也稱為劃線、鋸切或切開)晶圓來分離半導體器件。為了防止切割工藝損壞半導體器件，在切割工藝至少部分消耗的矩形區域之間保留可消耗(或犧牲)區域。

在制造的早期階段，表示半導體器件的一種方式是將平面圖稱為布局圖。在設計規則的背景下生成布局圖，設計規則對布局圖中的對應圖案的放置施加約束，例如地理/空間約束、連接性約束等。通常，設計規則集合特定于工藝節點，通過該工藝節點將基于所得布局圖來制造半導體器件。設計規則集合補償對應工藝節點的可變性。這種補償增加了由布局圖產生的實際半導體器件將成為該布局圖所基于的虛擬器件的可接受對應物的可能性。

發明內容

根據本發明實施例的一個方面，提供了一種半導體器件，包括：核心電路的第一核心區域和第二核心區域；接口電路的第一輸入/輸出(I/O)區域和第二I/O區域，彼此耦合并對應地耦合至第一核心區域和第二核心區域，可消耗區域；相對于第一方向：可消耗區域介于第一I/O區域和第二I/O區域之間；第一I/O區域介于可消耗區域和第一核心區域之間；并且第二I/O區域介于可消耗區域和第二核心區域之間；密封環，具有第一側、第二側、第三側和第四側，密封環圍繞第一核心區域和第二核心區域以及第一I/O區域和第二I/O區域；金屬化層；互連層，在金屬化層之間交錯；相互通信(inter-com)段，位于金屬化層的子集中，每個相互通信段對應地在第一I/O區域和第二I/O區域之間延伸并由此耦合第一I/O區域和第二I/O區域；第一護壁和第二護壁，每一個都從密封環的第一側延伸到第三側或從對應的第三護壁和第四護壁上的第一位置延伸到第二位置，第三護壁和第四護壁中的每一個都從密封環的第一側延伸到第三側；第一護壁介于第一核心區域和第一I/O區域之間并與第一核心區域和第一I/O區域中的每一個隔離；并且第二護壁介于第二核心區域和第二I/O區域之間并與第二核心區域和第二I/O區域中的每一個隔離。

根據本發明實施例的另一個方面，還提供了一種半導體器件，包括：核心電路的核心區域；接口電路的輸入/輸出(I/O)區域，耦合至核心區域；相對于垂直的第一方向和第二方向，密封環，具有第一側、第二側和第三側，密封環圍繞核心區域和I/O區域并與核心區域和I/O區域隔離；和第一護壁，從密封環的第一側延伸到第三側或從對應的第三護壁和第四護壁上的第一位置延伸到第二位置，第三護壁和第四護壁中的每一個都從密封環的第一側延伸到第三側，第一護壁介于核心區域和I/O區域之間并與核心區域和I/O區域中的每一個隔離。