[發明專利]動態隨機存取存儲結構及其形成方法

在審

• 申請號: 202210109331.3
• 申請日: 2022-01-28
• 公開（公告）號: CN114429958A
• 公開（公告）日: 2022-05-03
• 發明（設計）人: 華文宇;張幟
• 申請（專利權）人: 芯盟科技有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣

1.一種動態隨機存取存儲器，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底具有相對的第一面和第二面，所述襯底包括相互分立的若干有源區，所述有源區在第一方向上延伸，所述有源區包括若干相互獨立且沿第一方向排列的溝道區；

位于每個有源區中的若干字線柵結構，每個字線柵結構與1個溝道區鄰接，所述若干字線柵結構沿第二方向貫穿所述有源區，所述第二方向垂直于所述第一方向；

位于第一面的第一器件層；

位于所述第一器件層上的第一介電層；

位于所述第一介電層內的若干應力調節結構；

位于第二面的第二器件層。

2.如權利要求1所述的動態隨機存取存儲器，其特征在于，所述若干應力調節結構包括：沿所述第二方向延伸的若干第一調節結構，所述第一調節結構用于切斷第一方向上的應力。

3.如權利要求1或2所述的動態隨機存取存儲器，其特征在于，所述若干應力調節結構包括：沿所述第一方向延伸的若干第二調節結構，所述第二調節結構用于切斷第二方向上的應力。

4.如權利要求1所述的動態隨機存取存儲器，其特征在于，還包括：位于所述第一器件層與第一介電層之間的第二應力調節層，所述第二應力調節層用于同時調節所述第一方向和第二方向上的應力。

5.如權利要求1所述的動態隨機存取存儲器，其特征在于，還包括：位于所述第一介電層和若干應力調節結構上的第二應力調節層，所述第二應力調節層用于同時調節所述第一方向和第二方向上的應力。

6.如權利要求1所述的動態隨機存取存儲器，其特征在于，所述第一器件層包括：若干電容，每個所述電容與1個所述溝道區電連接；所述第二器件層包括：若干位線，每個位線與1個有源區內的若干溝道區電連接。

7.如權利要求6所述的動態隨機存取存儲器，其特征在于，每個所述位線在第二面具有位線投影，并且，每個所述位線投影在1個有源區的范圍內。

8.如權利要求6所述的動態隨機存取存儲器，其特征在于，還包括：位于所述若干電容與第一介電層之間的第二應力調節層，所述第二應力調節層用于同時調節所述第一方向和第二方向上的應力；位于所述若干電容與第二應力調節層之間的電容極板；位于所述電容極板與所述第二應力調節層之間的第二介電層。

9.如權利要求1所述的動態隨機存取存儲器，其特征在于，所述第一器件層包括：若干位線，每個位線與1個有源區內的若干溝道區電連接；所述第二器件層包括：若干電容，每個所述電容與1個所述溝道區電連接。

10.如權利要求1所述的動態隨機存取存儲器，其特征在于，所述應力調節結構的材料與所述第一介電層的材料不同。

11.如權利要求10所述的動態隨機存取存儲器，其特征在于，所述應力調節結構的材料包括：氧化硅、氮化硅、金屬或多晶硅。

12.如權利要求4、5或8所述的動態隨機存取存儲器，其特征在于，所述第二應力調節層的材料包括：氧化硅、氮化硅、金屬或多晶硅。

13.如權利要求1所述的動態隨機存取存儲器，其特征在于，所述應力調節結構的高度等于所述第一介電層的厚度。

14.如權利要求1所述的動態隨機存取存儲器，其特征在于，還包括：位于所述第一介電層和若干應力調節結構上的鍵合介電層；與所述鍵合介電層鍵合的承載基底。