[發明專利]陣列基板及其制作方法

在審

• 申請號: 202210109200.5
• 申請日: 2022-01-28
• 公開（公告）號: CN114512500A
• 公開（公告）日: 2022-05-17
• 發明（設計）人: 鐘德鎮;蘇子芳;張軍
• 申請（專利權）人: 昆山龍騰光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/417;H01L29/786;H01L21/34;H01L21/84
• 代理公司: 上海波拓知識產權代理有限公司 31264
• 代理人: 楊波

一種陣列基板及其制作方法，陣列基板包括：基底；形成在基底上的掃描線和柵極，柵極與掃描線導電連接；覆蓋在掃描線和柵極上的第一絕緣層；形成在第一絕緣層上的漏極、像素電極、源極和數據線，其中像素電極與漏極由第一透明導電層經過圖案化處理而形成且兩者導電連接，數據線與源極由第二金屬層經過圖案化處理而形成且兩者導電連接，源極與漏極間隔設置形成溝道區；至少覆蓋在漏極、溝道區和源極上的金屬氧化物半導體層，金屬氧化物半導體層填入溝道區并與漏極和源極導電連接；覆蓋在金屬氧化物半導體層上的絕緣遮光層，絕緣遮光層與金屬氧化物半導體層上下重疊設置。本發明的陣列基板及其制作方法不僅節約了成本，還減少了光生漏電現象。

技術領域

本發明涉及顯示器設備技術領域，特別是涉及陣列基板及其制作方法。

背景技術

金屬氧化物TFT即采用金屬氧化物(例如IGZO)作為半導體層的薄膜晶體管，目前，金屬氧化物TFT相比低溫多晶硅TFT和非晶硅TFT，具有更高電子遷移率、高透光率、低漏電流、低沉積溫度、低制造成本等優點而受到廣泛關注。然而，在金屬氧化物TFT結構中，為了防止金屬氧化物背溝道的刻蝕損傷，通常采用刻蝕阻擋層(Etch Stop Layer，ESL)結構，來防止背溝道刻蝕損傷，但是需要增加一次光罩，并且在金屬氧化物TFT的S/D(源極/漏極)電極制作前，通常進行導體化處理來保證S/D與金屬氧化物半導體層間良好的歐姆接觸，增加了工藝復雜性和成本，間接降低了金屬氧化物的市場競爭力。

發明內容

有鑒于此，本發明提供一種陣列基板及其制作方法，不僅節約了成本，還減少了光生漏電現象。

一種陣列基板，陣列基板包括：

基底；

形成在基底上的掃描線和柵極，柵極與掃描線導電連接；

覆蓋在掃描線和柵極上的第一絕緣層；

形成在第一絕緣層上的漏極、像素電極、源極和數據線，其中像素電極與漏極由第一透明導電層經過圖案化處理而形成且兩者導電連接，數據線與源極由第二金屬層經過圖案化處理而形成且兩者導電連接，源極與漏極間隔設置形成溝道區；

至少覆蓋在漏極、溝道區和源極上的金屬氧化物半導體層，金屬氧化物半導體層填入溝道區并與漏極和源極導電連接；

覆蓋在金屬氧化物半導體層上的絕緣遮光層，絕緣遮光層與金屬氧化物半導體層上下重疊設置。

在本發明的實施例中，上述源極和數據線的下方還重疊設置有所述第一透明導電層。

在本發明的實施例中，上述金屬氧化物半導體層覆蓋在所述漏極、所述溝道區和所述源極上；或者，所述金屬氧化物半導體層覆蓋在所述漏極、所述溝道區、所述源極和所述數據線上。

在本發明的實施例中，上述金屬氧化物半導體層在所述基底上的正投影與所述絕緣遮光層在所述基底上的正投影相重合。

在本發明的實施例中，上述絕緣遮光層由氧化鉬或者氮化銅制成。

一種陣列基板的制作方法，制作方法包括：

提供基底；

在基底上形成第一金屬層，對第一金屬層進行圖形化處理，使第一金屬層形成掃描線和柵極，掃描線和柵極導電連接；

在基底上形成覆蓋掃描線和柵極的第一絕緣層；

在第一絕緣層上形成第一透明導電層和第二金屬層，對第一透明導電層和第二金屬層進行圖形化處理，使第一透明導電層形成漏極和像素電極，使第二金屬層形成源極和數據線，像素電極與漏極導電連接，數據線與源極導電連接，源極與漏極間隔設置形成溝道區；