[發明專利]一種基于二維半金屬電極的金屬半導體接觸結構

有效

• 申請號: 202210107442.0
• 申請日: 2022-01-28
• 公開（公告）號: CN114429988B
• 公開（公告）日: 2022-08-23
• 發明（設計）人: 張躍;張先坤;張錚;于慧慧;黃夢婷;湯文輝;高麗;衛孝福
• 申請（專利權）人: 北京科技大學
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/24
• 代理公司: 北京東方盛凡知識產權代理事務所(普通合伙) 11562
• 代理人: 李娜

1.一種基于二維半金屬電極的金屬半導體接觸結構，其特征在于：包括半導體模塊和金屬電極模塊，所述半導體模塊為二維半導體材料，所述金屬電極模塊為表面無懸掛鍵的二維半金屬材料，所述二維半導體材料與二維半金屬材料之間界面為表面粗糙度在0.01-1nm且表面無懸掛鍵的范德華界面，所述二維半導體材料與二維半金屬材料的層間距小于1nm，所述二維半導體材料為二維材料，所述二維半金屬材料為MX₂二維層狀半金屬材料，所述二維半導體材料厚度為0.1-20nm，所述二維半金屬材料厚度為1-100nm，所述二維半金屬材料的功函數范圍為4.0-6.0eV，所述二維半金屬材料電極創建的空穴型肖特基勢壘高度為0-30 meV，其中所述二維半金屬材料電極創建的肖特基勢壘包括電子型和空穴型，所述二維半導體材料和二維半金屬材料均是通過化學氣相沉積法、物理氣相沉積法、化學氣相傳輸法、機械剝離法和有機物輔助法中的一種制備得到的；

所述二維半導體材料為BP、MoTe₂、MoS₂、WSe₂、MoSe₂和WS₂中的一種；

所述二維層狀半金屬材料MX₂中，M表示過渡金屬，X表示硫族元素；

所述二維層狀半金屬材料為1T＇-MoTe₂、2H-NbS₂、1T＇-WTe₂、1T＇-TeSe₂、1T＇-TiS₂、1T-HfTe₂、1T-TiTe₂、1T＇-WS₂、PtTe₂和VSe₂中的一種；

所述二維半導體材料為摻雜過的二維材料，所述摻雜過的二維材料中摻雜元素包含金屬摻雜元素Mo、W、Nb、Cu、Al、Au和Fe及硫族摻雜元素O、S、Se、Te、N和P。