[發(fā)明專利]一種SESAM被動調Q微型激光器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210107326.9 | 申請日： | 2022-01-28 |
| 公開（公告）號： | CN114552338A | 公開（公告）日： | 2022-05-27 |
| 發(fā)明（設計）人： | 肖志松 | 申請（專利權）人： | 羅根激光科技（武漢）有限公司 |
| 主分類號： | H01S3/06 | 分類號： | H01S3/06;H01S3/11 |
| 代理公司： | 重慶信航知識產權代理有限公司 50218 | 代理人： | 吳從吾 |
| 地址： | 430205 湖北省武漢市江夏區(qū)經濟開*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 sesam 被動 微型 激光器 | ||
1.一種SESAM被動調Q微型激光器，其特征在于：包括泵浦耦合器、偏振耦合鏡、微型振蕩器、泵浦光輸入光路和激光器輸出光路，
所述微型振蕩器包括1064nm耦合輸出鏡、激光介質和半導體可飽和吸收鏡；
經泵浦光輸入光路和泵浦耦合器輸入808-880nm激光，沿45°入射至分光耦合輸出鏡，反射進入微型振蕩器內，808-880nm激光依次進入1064nm耦合輸出鏡、激光介質和半導體可飽和吸收鏡，被半導體可飽和吸收鏡反射沿激光介質內和1064nm耦合輸出鏡進入偏振耦合鏡，沿激光器輸出光路輸出，1064nm激光依次進入1064nm耦合輸出鏡、激光介質和半導體可飽和吸收鏡內，被半導體可飽和吸收鏡飽和吸收。
2.根據權利要求1所述的一種SESAM被動調Q微型激光器，其特征在于：所述半導體可飽和吸收鏡設置為帶銅熱沉的半導體可飽和吸收鏡，調制深度5％-25％，飽和通量大于300uJ/cm2。
3.根據權利要求2所述的一種SESAM被動調Q微型激光器，其特征在于：所述激光介質兩端同時鍍有1064和808-880增透膜，參雜濃度0.3％-0.5％，采用線偏振結構。
4.根據權利要求3所述的一種SESAM被動調Q微型激光器，其特征在于：所述1064nm耦合輸出鏡兩端同時鍍有808-880增透膜，且對1064nm透過率10％-30％。
5.根據權利要求4所述的一種SESAM被動調Q微型激光器，其特征在于：所述偏振耦合鏡的表面鍍膜有1064增透膜，808-880高反膜。
6.根據權利要求5所述的一種SESAM被動調Q微型激光器，其特征在于：所述泵浦耦合器表面鍍有808-880增透膜，耦合孔徑50-200um。
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