[發(fā)明專利]薄膜厚度測(cè)量裝置、方法、系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210106344.5 | 申請(qǐng)日: | 2022-01-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN114623790B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-09-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李仕遠(yuǎn);董顯山;蘇偉;黃欽文;黃一雄;黃云;路國(guó)光 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)電子產(chǎn)品可靠性與環(huán)境試驗(yàn)研究所((工業(yè)和信息化部電子第五研究所)(中國(guó)賽寶實(shí)驗(yàn)室)) |
| 主分類號(hào): | G01B21/08 | 分類號(hào): | G01B21/08 |
| 代理公司: | 華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人: | 魏宇星 |
| 地址: | 511300 廣東省*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 薄膜 厚度 測(cè)量 裝置 方法 系統(tǒng) 計(jì)算機(jī) 設(shè)備 存儲(chǔ) 介質(zhì) | ||
本申請(qǐng)涉及一種薄膜厚度測(cè)量裝置、方法、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)。所述裝置包括:樣品固定模塊、尺寸測(cè)量模塊、諧振頻率測(cè)量模塊和處理模塊,處理模塊分別與尺寸測(cè)量模塊和諧振頻率測(cè)量模塊連接;樣品固定模塊用于對(duì)預(yù)定形狀的薄膜樣品的所有邊進(jìn)行固定,以使薄膜樣品的所有邊上的撓度和轉(zhuǎn)角均為0;尺寸測(cè)量模塊用于測(cè)量薄膜樣品的平面幾何尺寸;諧振頻率測(cè)量模塊用于測(cè)量薄膜樣品的諧振頻率;處理模塊用于接收外部輸入以獲取對(duì)應(yīng)薄膜樣品的材料物性參數(shù),并根據(jù)薄膜樣品的諧振頻率、平面幾何尺寸和材料物性參數(shù)得到薄膜樣品的厚度。采用本方法測(cè)量薄膜厚度的過(guò)程無(wú)需破壞薄膜樣品,準(zhǔn)確度較高,同時(shí)對(duì)薄膜樣品的透光性無(wú)要求,適應(yīng)范圍廣。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請(qǐng)涉及測(cè)量技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種薄膜厚度測(cè)量裝置、方法、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)。
背景技術(shù)
MEMS器件中存在各種不同厚度的薄膜,大多在微米級(jí)別,測(cè)量難度較大,而薄膜厚度的準(zhǔn)確測(cè)量是保證工藝質(zhì)量、計(jì)算性能參數(shù)和優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)。
目前,主要有三種薄膜厚度測(cè)量方式,一是接觸式表面輪廓儀來(lái)進(jìn)行測(cè)量,但該方式需要以恒定的接觸力從樣品表面劃過(guò),會(huì)對(duì)薄膜表面造成損傷;二是采用光譜橢偏儀來(lái)進(jìn)行薄膜厚度測(cè)量,但測(cè)量方式對(duì)薄膜的透光性有要求,薄膜需透光或部分波長(zhǎng)透光,測(cè)量適用范圍較窄;三是采用工具顯微鏡測(cè)量薄膜厚度,但該測(cè)量方式分辨率較低,薄膜厚度的測(cè)量結(jié)果不精確。
發(fā)明內(nèi)容
基于此,有必要針對(duì)上述技術(shù)問(wèn)題,提供一種能夠無(wú)損精確測(cè)量薄膜厚度且適應(yīng)范圍廣的薄膜厚度測(cè)量裝置、方法、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)。
第一方面,本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N薄膜厚度測(cè)量裝置。所述裝置包括:樣品固定模塊、尺寸測(cè)量模塊、諧振頻率測(cè)量模塊和處理模塊,所述處理模塊分別與所述尺寸測(cè)量模塊和諧振頻率測(cè)量模塊連接;
所述樣品固定模塊用于對(duì)預(yù)定形狀的薄膜樣品的所有邊進(jìn)行固定,以使所述薄膜樣品的所有邊上的撓度和轉(zhuǎn)角均為0;
所述尺寸測(cè)量模塊用于測(cè)量所述薄膜樣品的平面幾何尺寸,并將測(cè)量數(shù)據(jù)發(fā)送至所述處理模塊;
所述諧振頻率測(cè)量模塊用于測(cè)量所述薄膜樣品的諧振頻率,并將測(cè)量數(shù)據(jù)發(fā)送至所述處理模塊;
所述處理模塊用于接收外部輸入以獲取對(duì)應(yīng)所述薄膜樣品的材料物性參數(shù),并根據(jù)所述薄膜樣品的諧振頻率、所述平面幾何尺寸和所述材料物性參數(shù)得到所述薄膜樣品的厚度。
通過(guò)所述樣品固定模塊用于對(duì)預(yù)定形狀的薄膜樣品的所有邊進(jìn)行固定,以使所述薄膜樣品的所有邊上的撓度和轉(zhuǎn)角為0,從而便于尺寸測(cè)量模塊和諧振頻率測(cè)量模塊測(cè)量薄膜樣品的平面幾何尺寸和諧振頻率,在得到測(cè)量數(shù)據(jù)后,通過(guò)計(jì)算獲取對(duì)應(yīng)所述薄膜樣品的材料物性參數(shù),并在薄膜樣品的撓度和轉(zhuǎn)角為0的情況下,根據(jù)薄膜樣品的諧振頻率、平面尺寸和材料物性參數(shù)可以計(jì)算出薄膜樣品的厚度,實(shí)現(xiàn)了對(duì)薄膜厚度的測(cè)量。其中,由于現(xiàn)有的測(cè)量薄膜樣品的平面幾何尺寸和諧振頻率的方式成熟度較高,準(zhǔn)確性高,對(duì)薄膜樣品的透光性無(wú)要求,且無(wú)需破壞薄膜樣品,則通過(guò)上述方式得到薄膜厚度的過(guò)程無(wú)需破壞薄膜樣品,準(zhǔn)確度較高,同時(shí)對(duì)薄膜樣品的透光性無(wú)要求,適應(yīng)范圍廣。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述薄膜樣品的形狀為圓形或矩形;
所述尺寸測(cè)量模塊包括白光干涉儀,所述白光干涉儀用于在所述薄膜樣品為圓形時(shí),測(cè)量所述薄膜樣品的直徑,并在所述薄膜樣品為矩形時(shí),測(cè)量所述薄膜樣品的各邊的邊長(zhǎng);或者
所述尺寸測(cè)量模塊包括激光掃描共聚焦顯微鏡,所述激光掃描共聚焦顯微鏡用于對(duì)所述薄膜樣品進(jìn)行掃描,并發(fā)送掃描信號(hào)至處理模塊,所述處理模塊用于根據(jù)所述掃描信號(hào)得到所述薄膜樣品的數(shù)字圖像,在所述薄膜樣品為圓形時(shí),基于所述數(shù)字圖像得到所述薄膜樣品的直徑,并在所述薄膜樣品為矩形時(shí),基于所述數(shù)字圖像得到所述薄膜樣品的各邊的邊長(zhǎng)。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述諧振頻率測(cè)量模塊包括顯微激光測(cè)振儀,所述顯微激光測(cè)振儀用于測(cè)量所述薄膜樣品的諧振頻率。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國(guó)電子產(chǎn)品可靠性與環(huán)境試驗(yàn)研究所((工業(yè)和信息化部電子第五研究所)(中國(guó)賽寶實(shí)驗(yàn)室)),未經(jīng)中國(guó)電子產(chǎn)品可靠性與環(huán)境試驗(yàn)研究所((工業(yè)和信息化部電子第五研究所)(中國(guó)賽寶實(shí)驗(yàn)室))許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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