[發(fā)明專利]一種彩色Micro LED顯示芯片模組的制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210104851.5 | 申請(qǐng)日： | 2022-01-28 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN114551656B | 公開(kāi)（公告）日： | 2022-11-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張帆;吳永勝;齊佳鵬 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 福建兆元光電有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/00 | 分類號(hào)： | H01L33/00;H01L27/15;H01L33/50;H01L33/60 |
| 代理公司： | 福州市博深專利事務(wù)所(普通合伙) 35214 | 代理人： | 林振杰 |
| 地址： | 350109 福建省福州*** | 國(guó)省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 彩色 micro led 顯示 芯片 模組 制造 方法 | ||
本發(fā)明公開(kāi)了一種彩色Micro LED顯示芯片模組的制造方法，在襯底上制備Micro LED芯片，將芯片研磨切割后倒裝焊接在驅(qū)動(dòng)基板上，對(duì)芯片進(jìn)行襯底剝離，因此相較于現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)芯片晶圓進(jìn)行整面剝離，剝離難度小、良率高。在透明基板上制作與芯片的子像素單元位置相對(duì)應(yīng)的量子點(diǎn)孔位，在量子點(diǎn)孔位中填充量子點(diǎn)光色轉(zhuǎn)換物并沉積量子點(diǎn)保護(hù)層，因此轉(zhuǎn)換裝置是在透明基板上獨(dú)立制作的，相較于現(xiàn)有技術(shù)中在襯底層上加工轉(zhuǎn)換層，將全彩色量子點(diǎn)轉(zhuǎn)換裝置倒置后與所述集成式單色Micro LED模組基底對(duì)齊粘合，能夠提高制作效率。并且轉(zhuǎn)換裝置使用量子點(diǎn)?量子點(diǎn)保護(hù)層?金屬反射層?金屬隔離層的組合結(jié)構(gòu)，可以在全彩色Micro LED顯示時(shí)提升出光強(qiáng)度、消除光色間串?dāng)_。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種彩色Micro LED顯示芯片模組的制造方法。
背景技術(shù)
現(xiàn)有的全彩色Micro LED顯示有兩種方案：第一種是RGB單顆巨量轉(zhuǎn)移，將大量的獨(dú)立RGB LED芯片分別轉(zhuǎn)移到同一個(gè)基板內(nèi)；第二種是基于單色Micro LED，在其芯片上使用量子點(diǎn)進(jìn)行轉(zhuǎn)換。
但是現(xiàn)有的全彩色顯示方案中，第一種巨量轉(zhuǎn)移方式其效率始終得不到提升，且其單個(gè)像素的尺寸受到轉(zhuǎn)移裝置的局限；第二種基于單色Micro LED結(jié)合量子點(diǎn)的方式其顯示效果常受到襯底剝離和顏色串?dāng)_問(wèn)題的影響。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是：提供一種彩色Micro LED顯示芯片模組的制造方法，能夠解決襯底剝離困難和光色串?dāng)_的問(wèn)題。
為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為：
一種彩色Micro LED顯示芯片模組的制造方法，包括步驟：
在襯底上制備Micro LED芯片，將所述芯片進(jìn)行研磨切割后倒裝焊接在驅(qū)動(dòng)基板上，對(duì)所述芯片進(jìn)行襯底剝離，得到集成式單色Micro LED模組基底；
在透明基板上制作與所述芯片的子像素單元位置相對(duì)應(yīng)的量子點(diǎn)孔位，在所述量子點(diǎn)孔位中填充量子點(diǎn)光色轉(zhuǎn)換物并沉積量子點(diǎn)保護(hù)層，在所述量子點(diǎn)保護(hù)層上方位于量子點(diǎn)孔位之間的位置依次制備金屬反射層和金屬間隔層，得到全彩色量子點(diǎn)轉(zhuǎn)換裝置；
將所述全彩色量子點(diǎn)轉(zhuǎn)換裝置倒置后與所述集成式單色Micro LED模組基底對(duì)齊粘合，得到彩色Micro LED顯示芯片模組。
本發(fā)明的有益效果在于：在襯底上制備Micro LED芯片，將芯片研磨切割后倒裝焊接在驅(qū)動(dòng)基板上，對(duì)芯片進(jìn)行襯底剝離，因此相較于現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)芯片晶圓進(jìn)行整面剝離，剝離難度小、良率高。在透明基板上制作與芯片的子像素單元位置相對(duì)應(yīng)的量子點(diǎn)孔位，在量子點(diǎn)孔位中填充量子點(diǎn)光色轉(zhuǎn)換物并沉積量子點(diǎn)保護(hù)層，因此轉(zhuǎn)換裝置是在透明基板上獨(dú)立制作的，相較于現(xiàn)有技術(shù)中在襯底層上加工轉(zhuǎn)換層，將全彩色量子點(diǎn)轉(zhuǎn)換裝置倒置后與所述集成式單色Micro LED模組基底對(duì)齊粘合，能夠提高制作效率。并且轉(zhuǎn)換裝置使用量子點(diǎn)-量子點(diǎn)保護(hù)層-金屬反射層-金屬隔離層的組合結(jié)構(gòu)，可以在全彩色Micro LED顯示時(shí)提升出光強(qiáng)度、消除光色間串?dāng)_。
附圖說(shuō)明
圖1為本發(fā)明實(shí)施例的一種彩色Micro LED顯示芯片模組的制造方法的流程圖；
圖2為集成式GaN基單色Micro LED芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖3為彩色Micro LED顯示芯片模組結(jié)構(gòu)的示意圖；
圖4為傳統(tǒng)的全彩色集成式Micro LED轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)的示意圖；
標(biāo)號(hào)說(shuō)明：
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件；專門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備；這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的，例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件
