[發明專利]一種光模塊

在審

• 申請號: 202210104219.0
• 申請日: 2022-01-28
• 公開（公告）號: CN114355525A
• 公開（公告）日: 2022-04-15
• 發明（設計）人: 王光全;沈世奎;胡雅坤;王力;薛登山;李大偉;曹乾堯
• 申請（專利權）人: 中國聯合網絡通信集團有限公司;青島海信寬帶多媒體技術有限公司
• 主分類號: G02B6/42
• 分類號: G02B6/42
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理有限公司 11363
• 代理人: 逯長明;許偉群

1.一種光模塊，其特征在于，包括：

電路板；

光接收組件，與所述電路板電連接，用于接收攜帶第一低頻消息的接收光信號；

微處理器，設置在所述電路板上，與所述光接收組件電連接，用于接收所述第一低頻消息，根據所述第一低頻消息指示的波長參數與預設值的比較生成第一波長控制信號或第二波長控制信號；

激光發射芯片，與激光驅動芯片電連接，用于發出發射光信號；

激光驅動芯片，與所述微處理器電連接，用于接收所述第一波長控制信號與所述第二波長控制信號，根據所述第一波長控制信號調整對所述激光發射芯片的供電，以對所述發射光信號的波長進行粗調；根據所述第二波長控制信號調整對所述激光發射芯片的供電，以對所述發射光信號的波長進行精調；

光纖接口，與所述激光發射芯片對應，用于連接外部光纖，以將所述發射光信號傳出。

2.根據權利要求1所述的光模塊，其特征在于，所述第一低頻消息指示相對端光模塊發射光信號的第一波長信息，及波長測試器檢測的所述發射光信號的第二波長信息、邊模抑制比信息。

3.根據權利要求2所述的光模塊，其特征在于，所述第一低頻消息指示所述發射光信號的邊模抑制比，所述邊模抑制比不符合所述預設值，所述微處理器發出所述第一波長控制信號；所述邊模抑制比符合所述預設值，所述微處理器發出所述第二波長控制信號；其中，所述預設值為本端光模塊中激光發射芯片的工作參數。

4.根據權利要求3所述的光模塊，其特征在于，還包括：

所述微處理器，用于根據所述第一波長信息與所述第二波長信息計算得到波長偏差值，根據所述波長偏差值發出所述第二波長控制信號；

所述激光驅動芯片，與半導體制冷器電連接，用于根據所述第二波長控制信號調整對所述半導體制冷器的供電；

所述半導體制冷器，其制冷面上設置有激光發射芯片，用于對所述激光發射芯片進行溫度調整，以對所述發射光信號的波長進行精調。

5.一種光模塊，其特征在于，包括：

電路板；

光接收組件，與所述電路板電連接，用于接收攜帶第二低頻消息的接收光信號；

微處理器，設置在所述電路板上，與所述光接收組件電連接，用于接收所述第二低頻消息，根據所述第二低頻消息發出功率控制信號；

激光發射芯片，與激光驅動芯片電連接，用于發出發射光信號；

激光驅動芯片，與所述微處理器電連接，用于接收所述功率控制信號，根據所述功率控制信號調整對所述激光發射芯片的供電，以對所述激光發射芯片的發射功率進行調整；

光纖接口，與所述激光發射芯片對應，用于連接外部光纖，以將所述發射光信號傳出。

6.根據權利要求5所述的光模塊，其特征在于，所述第二低頻消息指示所述發射光信號的功率，或指示調整所述發射光信號的功率。

7.根據權利要求6所述的光模塊，其特征在于，所述第二低頻消息指示所述發射光信號的功率，所述第二低頻消息基于所述接收光信號的接收功率與預設值的比較生成，所述預設值包括發射功率、靈敏度值與過載值，所述發射功率、所述靈敏度值與所述過載值均為相對端光模塊中光接收組件、激光發射芯片的工作參數。

8.根據權利要求7所述的光模塊，其特征在于，所述第二低頻消息指示所述發射光信號的功率，所述第二低頻消息基于相對端光模塊的發射功率與所述接收功率比較生成鏈路損耗值，基于所述鏈路損耗值與相對端光模塊的靈敏度值比較生成最小發射功率，根據所述鏈路損耗值與相對端光模塊的過載值比較生成最大發射功率。

9.根據權利要求6所述的光模塊，其特征在于，所述第二低頻消息指示調整所述發射光信號的功率，所述第二低頻消息基于所述接收光信號的接收功率與預設值的比較生成，所述預設值為靈敏度值與過載值之間的任意值，所述靈敏度值與所述過載值均為相對端光模塊中光接收組件的工作參數。

10.根據權利要求6所述的光模塊，其特征在于，所述第二低頻消息指示調整所述發射光信號的功率，所述第二低頻消息基于所述接收光信號的接收功率與預設范圍的比較生成，所述預設范圍為靈敏度值與過載值之間的任意范圍，所述靈敏度值與所述過載值均為相對端光模塊中光接收組件的工作參數。