[發明專利]一種總劑量效應的檢測與加固電路及方法及模擬電路

在審

• 申請號: 202210104182.1
• 申請日: 2022-01-27
• 公開（公告）號: CN114441920A
• 公開（公告）日: 2022-05-06
• 發明（設計）人: 郭仲杰;盧滬;劉楠;曹喜濤;劉申;邱子憶;李夢麗
• 申請（專利權）人: 西安理工大學
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26;H03K19/003
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 陳翠蘭

1.一種總劑量效應的檢測與加固電路，其特征在于，包括總劑量效應檢測電路和補償電流產生電路；

總劑量效應檢測電路包括電阻R和MOS管Mn，補償電流產生電路包括MOS管Mp，電阻R的第一端和MOS管Mp的柵極相連接，MOS管Mp的源極為補償電流產生電路的輸出端；電阻R的第一端和MOS管Mp的漏極連接有電流源；電阻R的第二端連接MOS管MN的漏極和柵極，MOS管Mn的源極接地，MOS管Mn的源極為總劑量效應檢測電路的輸入端。

2.根據權利要求1所述的總劑量效應的檢測與加固電路，其特征在于，MOS管Mn采用NMOS管。

3.根據權利要求1所述的總劑量效應的檢測與加固電路，其特征在于，MOS管Mp采用PMOS管。

4.一種基于權利要求1-3任意一項所述總劑量效應的檢測與加固電路的工作方法，其特征在于，未受總劑量效應時，MOS管Mn無漏電流，電阻R控制檢測電壓V_M的大小使MOS管Mp處于關斷狀態；發生總劑量效應時，MOS管Mn出現漏電流，其柵源電壓降低，檢測電壓降低，MOS管Mp打開，輸出補償電流。

5.根據權利要求4所述的總劑量效應的檢測與加固電路的工作方法，其特征在于，檢測電壓V_M的大小為：

V_M＝V_GSn+I_REF·R；

V_GSn為柵源電壓，I_REF R為電阻R上的壓降。

6.一種模擬電路，其特征在于，包括模擬電路本體和權利要求1-3任意一項所述的總劑量效應的檢測與加固電路；

總劑量效應的檢測與加固電路中的MOS管Mn源極與模擬電路本體中用于偏置電流的部件連接，總劑量效應的檢測與加固電路中的電阻R的第一端與模擬電路本體共同連接一個電流源。

7.根據權利要求6所述的模擬電路，其特征在于，模擬電路本體中用于偏置電流的部件采用MOS管。

8.根據權利要求7所述的模擬電路，其特征在于，模擬電路本體中用于偏置電流的MOS管與MOS管Mn的尺寸相同。