[發(fā)明專利]存儲(chǔ)電容器的制造方法及其存儲(chǔ)電容器

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210103062.X
• 申請(qǐng)日: 2022-01-27
• 公開（公告）號(hào): CN114496773A
• 公開（公告）日: 2022-05-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃子倫
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州聚謙半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/308
• 分類號(hào): H01L21/308;H01L21/8242;H01L49/02;H01L27/108
• 代理公司: 上海恒銳佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31286
• 代理人: 黃海霞

1.一種存儲(chǔ)電容器的制造方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體襯底；

形成位于所述半導(dǎo)體襯底上的第一掩膜層；

刻蝕所述第一掩膜層，形成第一溝槽；

形成位于所述第一溝槽的底部和側(cè)壁，以及所述第一掩膜層上方的第二掩膜層，使得形成第二溝槽，所述第二溝槽的槽寬和槽深均小于所述第一溝槽的槽寬和槽深；

去除所述第一掩膜層上方的第二掩膜層、所述第一掩膜層、以及位于所述第二溝槽的底部的第二掩膜層；

依次形成位于剩余的第二掩膜層上的第三掩膜層、所述第三掩膜層上的第四掩膜層和所述第四掩膜層上的第五掩膜層；

對(duì)所述第四掩膜層和第五掩膜層研磨減薄至暴露出所述第二掩膜層；

去除所述第二掩膜層和部分第四掩膜層，形成第三溝槽和位于邊界處的U形開口；

以所述第三溝槽周圍的第三掩膜層、所述部分第四掩膜層、所述第五掩膜層作為阻擋層，刻蝕所述半導(dǎo)體襯底，于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成第四溝槽；

去除所述第四溝槽上方的作為阻擋層的第三掩膜層、所述第四掩膜層、所述第五掩膜層；

形成位于所述第四溝槽的側(cè)壁、所述第四溝槽的底部，以及所述U形開口和所述半導(dǎo)體襯底上的絕緣層；

形成位于所述絕緣層上的第一介質(zhì)層；

形成位于所述第一介質(zhì)層上的第一導(dǎo)電層；

形成位于所述第一導(dǎo)電層上的第二介質(zhì)層；

形成位于所述第二介質(zhì)層上的第二導(dǎo)電層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

形成位于所述第二導(dǎo)電層上的第三介質(zhì)層，并進(jìn)行平坦化處理；

刻蝕所述第三介質(zhì)層形成通孔，以暴露出所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，還包括：

在所述通孔內(nèi)填充第三導(dǎo)電層，并刻蝕所述第三導(dǎo)電層，以完成金屬互聯(lián)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，還包括：

所述第一掩膜層、第二掩膜層、第三掩膜層、第四掩膜層和所述第五掩膜層的材料均為氮化硅。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，還包括：

所述絕緣層的材料為介電常數(shù)大于3.9的材料中的至少一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述絕緣層的材料包括二氧化鋯、氧化鋁、氮化硅、二氧化鉿、三氧化二釔、二氧化硅、五氧化二鉭、氧化鑭、二氧化鈦中的至少一種。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層和第三導(dǎo)電層的材料均為銅、鋁或鎢。

8.一種存儲(chǔ)電容器，其特征在于，包括：

半導(dǎo)體襯底；

依次位于所述半導(dǎo)體襯底上的絕緣層、絕緣層上的第一介質(zhì)層、第一介質(zhì)層上的第一導(dǎo)電層、第一導(dǎo)電層上的第二介質(zhì)層和第二介質(zhì)層上的第二導(dǎo)電層，其中，位于邊界處的第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層形成U型折疊區(qū)；

位于所述第二導(dǎo)電層上的第三介質(zhì)層和所述第三介質(zhì)層上的第三導(dǎo)電層，所述第三導(dǎo)電層通過通孔與所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層電連接。