[發(fā)明專利]集成加熱功能的半導(dǎo)體激光器及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210102634.2 | 申請日： | 2022-01-27 |
| 公開（公告）號： | CN114498286A | 公開（公告）日： | 2022-05-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張建偉;周寅利;張卓;陳超;寧永強;王立軍 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機械與物理研究所 |
| 主分類號： | H01S5/024 | 分類號： | H01S5/024;H01S5/02335 |
| 代理公司： | 長春中科長光知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 22218 | 代理人： | 高一明 |
| 地址： | 130033 吉林省長春*** | 國省代碼： | 吉林;22 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 集成 加熱 功能 半導(dǎo)體激光器 及其 制備 方法 | ||
1.一種集成加熱功能的條形半導(dǎo)體激光器，包括激光器芯片和制備在所述激光器芯片正面和背面的激光器電極，所述激光器電極與所述激光器芯片電連接，其特征在于，在所述激光器芯片的正面和/或背面制備有微納加熱絲和加熱絲電極，所述微納加熱絲與所述加熱絲電極連接。
2.如權(quán)利要求1所述的集成加熱功能的條形半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述微納加熱絲為單層結(jié)構(gòu)或通過絕緣層隔離開的疊層結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求1或2所述的集成加熱功能的條形半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述微納加熱絲的走線形式為Z形走線、蛇形走線、環(huán)形走線或回字形走線。
4.如權(quán)利要求3所述的集成加熱功能的條形半導(dǎo)體激光器，其特征在于，在所述激光器芯片的正面和/或背面避開所述激光器電極的區(qū)域制備所述微納加熱絲和所述加熱絲電極。
5.如權(quán)利要求4所述的集成加熱功能的條形半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述激光器電極位于所述激光器芯片的正面和/或背面的中心區(qū)域，在所述激光器電極的一側(cè)或兩側(cè)制備所述微納加熱絲和所述加熱絲電極。
6.一種如權(quán)利要求1～5中任一項所述的集成加熱功能的條形半導(dǎo)體激光器的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
S1、在激光器芯片的正面和背面制備激光器電極；
S2、在所述激光器芯片的正面和/或背面制備微納加熱絲和加熱絲電極，所述微納加熱絲與所述加熱絲電極連接。
7.如權(quán)利要求6中所述的集成加熱功能的條形半導(dǎo)體激光器的制備方法，其特征在于，所述步驟S2具體包括如下步驟：
S21、通過光刻工藝將掩模版的掩模圖形制備到所述激光器芯片的正面和/或背面的預(yù)定區(qū)域；
S22、通過金屬沉積工藝在所述激光器芯片的正面和/或背面的預(yù)定區(qū)域沉積金屬材料，形成所述微納加熱絲與所述加熱絲電極。
8.一種集成加熱功能的垂直腔面發(fā)射激光器，包括襯底，在所述襯底的背面依次制備有下電極和下絕緣層，在所述襯底的正面依次制備有下DBR反射鏡、發(fā)光層和上DBR反射鏡，在所述上DBR反射鏡的上表面制備有上電極，在所述發(fā)光層上避開所述上DBR反射鏡的位置制備有上絕緣層，其特征在于，在所述上絕緣層和/或所述下絕緣層的表面制備有微納加熱絲和加熱絲電極，所述微納加熱絲與所述加熱絲電極連接。
9.一種如權(quán)利要求8所述的集成加熱功能的垂直腔面發(fā)射激光器的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
S1、在所述襯底的背面依次制備下電極和下絕緣層，在所述襯底的正面依次制備下DBR反射鏡、發(fā)光層和上DBR反射鏡，以及在所述上DBR反射鏡的上表面制備上電極；
S2、在所述上絕緣層和/或所述下絕緣層的表面制備有微納加熱絲和加熱絲電極，所述微納加熱絲與所述加熱絲電極連接。
10.如權(quán)利要求9所述的集成加熱功能的垂直腔面發(fā)射激光器的制備方法，其特征在于，步驟S2包括如下具體步驟：
S21、通過光刻工藝將掩模版的掩模圖形制備到所述上絕緣層和/或所述下絕緣層的表面；
S22、通過金屬沉積工藝在所述上絕緣層和/或所述下絕緣層的表面沉積金屬材料，形成所述微納加熱絲與所述加熱絲電極。
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