[發(fā)明專(zhuān)利]顯示面板在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210102581.4 | 申請(qǐng)日: | 2022-01-27 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN114447083A | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-05-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 林高波 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L27/32 | 分類(lèi)號(hào): | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 鄧敬威 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 面板 | ||
本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N顯示面板,顯示面板包括:基板;薄膜晶體管,設(shè)置于基板的一側(cè),薄膜晶體管包括有源層,有源層包括溝道;以及遮光導(dǎo)電層,在顯示面板的厚度方向上,遮光導(dǎo)電層與有源層的溝道重疊設(shè)置,遮光導(dǎo)電層包括:第一光吸收層;以及第一導(dǎo)電層,第一導(dǎo)電層位于第一光吸收層遠(yuǎn)離基板的一側(cè)。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請(qǐng)涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種顯示面板。
背景技術(shù)
由于半導(dǎo)體材料的光敏感特性,薄膜晶體管的半導(dǎo)體材料的特性受到外界環(huán)境光以及發(fā)光器件發(fā)出的光的影響,導(dǎo)致薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)的發(fā)光器件的顯示性能降低。
因此,有必要提出一種技術(shù)方案以解決光對(duì)薄膜晶體管的半導(dǎo)體材料的影響。
發(fā)明內(nèi)容
本申請(qǐng)的目的在于提供一種顯示面板,以改善光對(duì)薄膜晶體管的有源層的影響。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,技術(shù)方案如下:
一種顯示面板,所述顯示面板包括:
基板;
薄膜晶體管,設(shè)置于所述基板的一側(cè),所述薄膜晶體管包括有源層,所述有源層包括溝道;以及
遮光導(dǎo)電層,在所述顯示面板的厚度方向上,所述遮光導(dǎo)電層與所述有源層的所述溝道重疊設(shè)置,所述遮光導(dǎo)電層包括:
第一光吸收層;以及
第一導(dǎo)電層,所述第一導(dǎo)電層位于所述第一光吸收層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)。
在一些實(shí)施例中,所述薄膜晶體管包括柵極,所述柵極包括所述遮光導(dǎo)電層,所述柵極對(duì)應(yīng)所述有源層的所述溝道設(shè)置。
在一些實(shí)施例中,所述柵極位于所述有源層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)。
在一些實(shí)施例中,所述柵極位于所述基板與所述有源層之間。
在一些實(shí)施例中,所述顯示面板還包括遮光層,所述遮光層設(shè)置于所述薄膜晶體管與所述基板之間,所述遮光層包括所述遮光導(dǎo)電層,且所述遮光層對(duì)應(yīng)有源層的所述溝道設(shè)置。
在一些實(shí)施例中,所述薄膜晶體管還包括漏極,所述漏極位于所述有源層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè),所述漏極包括:
第二光吸收層,所述第二光吸收層具有導(dǎo)電性,所述漏極的所述第二光吸收層與所述有源層電性連接;
第二導(dǎo)電層,所述第二導(dǎo)電層位于所述第二光吸收層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)。
在一些實(shí)施例中,所述漏極的所述第二光吸收層與所述遮光層的所述第一導(dǎo)電層電性連接。
在一些實(shí)施例中,所述第一導(dǎo)電層的厚度大于所述第一光吸收層的厚度。
在一些實(shí)施例中,所述第一光吸收層對(duì)可見(jiàn)光的反射率小于或等于15%。
在一些實(shí)施例中,所述第一光吸收層包括黑色金屬,黑色金屬包括銅鉻合金、銅錳合金、鐵合金中的至少一種;或,所述光吸收層包括黑色金屬氧化物,黑色金屬氧化物包括氧化鐠或氧化錳中的至少一種。
有益效果:本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N顯示面板,在顯示面板的厚度方向上,通過(guò)遮光導(dǎo)電層與有源層的溝道重疊設(shè)置,遮光導(dǎo)電層包括第一光吸收層和第一導(dǎo)電層,第一光吸收層對(duì)光具有吸收性,使得遮光導(dǎo)電層對(duì)光具有低反射率,減少照射至有源層的溝道的光,降低薄膜晶體管由于光照產(chǎn)生的漏電流,從而提高薄膜晶體管的穩(wěn)定性;而且,第一導(dǎo)電層具有導(dǎo)電層,使得遮光導(dǎo)電層可以接入電壓以傳輸電信號(hào),有利于充分利用遮光導(dǎo)電層的布設(shè)空間進(jìn)行布線。相對(duì)于傳統(tǒng)有機(jī)遮光層不具有導(dǎo)電性,且傳統(tǒng)金屬遮光層對(duì)光具有高反射率導(dǎo)致光反射后仍然會(huì)照射至有源層的溝道,本申請(qǐng)遮光導(dǎo)電層將光起到吸收作用的同時(shí),還能接入電壓以傳輸電信號(hào)。
附圖說(shuō)明
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- 同類(lèi)專(zhuān)利
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





