[發明專利]一種支架和原子層沉積鍍膜設備在審
| 申請號: | 202210102537.3 | 申請日: | 2022-01-27 |
| 公開(公告)號: | CN116555729A | 公開(公告)日: | 2023-08-08 |
| 發明(設計)人: | 魏曉慶;藍芝江;李碩 | 申請(專利權)人: | 光馳半導體設備(上海)有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455;C23C16/458 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 王士強 |
| 地址: | 200131 上海市浦東新區自由*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 支架 原子 沉積 鍍膜 設備 | ||
1.一種支架,應用于原子層沉積鍍膜設備,所述支架被配置為承載待鍍膜的工件,其特征在于,在鍍膜過程中,所述支架能夠轉動,所述支架包括:
多個承載單元(100),被配置為承載所述工件,多個所述承載單元(100)沿豎直方向平行且間隔的堆疊設置;以及
導流組件(200),所述導流組件(200)包括多組導流單元(210),每組所述導流單元(210)沿所述承載單元(100)周向設置,多組所述導流單元(210)沿豎直方向平行且間隔的堆疊設置。
2.根據權利要求1所述的支架,其特征在于,所述導流單元(210)的厚度小于或等于所述承載單元(100)的厚度。
3.根據權利要求1所述的支架,其特征在于,所述導流單元(210)包括多個導流板(211),所述導流板(211)包括導流板本體(2112)和固定套筒(2111),所述導流板本體(2112)上開設有連接孔(21121),所述固定套筒(2111)設置在所述導流板本體(2112)上,所述導流組件(200)還包括:
連接桿(220),所述連接桿(220)能夠穿過所述固定套筒(2111)和所述連接孔(21121),并將多個所述導流板(211)串聯。
4.根據權利要求3所述的支架,其特征在于,所述導流板本體(2112)背離所述固定套筒(2111)的一側開設有固定凹槽(21122),當相鄰兩個所述導流板(211)通過所述連接桿(220)串聯時,所述固定套筒(2111)遠離所述導流板本體(2112)的一端能夠插接在另一個所述導流板本體(2112)的所述固定凹槽(21122)中。
5.根據權利要求4所述的支架,其特征在于,所述導流單元(210)包括多個導流板(211),設置在最上面一層的所述導流板(211)不設置固定凹槽(21122)和連接孔(21121),設置在最下面一層的所述導流板(211)不設置固定套筒(2111)和連接孔(21121)。
6.根據權利要求1~5任一項所述的支架,其特征在于,所述導流單元(210)包括多個導流板(211),所述導流板(211)包括:
抵接面(21123),與所述承載單元(100)的一邊抵接;以及
導流面(21124),所述導流面(21124)為弧形表面,所述導流面(21124)的兩端分別與所述抵接面(21123)的兩端相連接,多個所述導流板(211)圍設在所述承載單元(100)外周,使所述導流單元(210)的外周輪廓為圓形。
7.根據權利要求1~5任一項所述的支架,其特征在于,所述承載單元(100)包括多個載具(110),多個所述載具(110)呈陣列設置。
8.根據權利要求7所述的支架,其特征在于,所述載具(110)包括:
載具本體(112),所述載具本體(112)上開設有插接凹槽(1121);以及
插接柱(111),設置在所述載具本體(112)背離所述插接凹槽(1121)的一側,上下相鄰兩個所述載具(110)堆疊設置時,所述插接柱(111)能夠插接在相鄰的所述載具本體(112)的所述插接凹槽(1121)中。
9.根據權利要求8所述的支架,其特征在于,每個所述載具(110)上設置有多個所述插接柱(111)和多個所述插接凹槽(1121),多個所述插接柱(111)和多個所述插接凹槽(1121)沿所述載具(110)周向間隔設置。
10.根據權利要求9所述的支架,其特征在于,所述承載單元(100)包括多個載具(110),設置在最上面一層的所述載具(110)不設置插接柱(111),設置在最下面一層的所述載具(110)不設置插接凹槽(1121)。
11.一種原子層沉積鍍膜設備,其特征在于,包括驅動件和如權利要求1~10任一項所述的支架,所述驅動件能夠驅動所述支架旋轉。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于光馳半導體設備(上海)有限公司,未經光馳半導體設備(上海)有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202210102537.3/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





