[發明專利]顯示裝置在審
| 申請號: | 202210100492.6 | 申請日: | 2017-07-21 |
| 公開(公告)號: | CN114429978A | 公開(公告)日: | 2022-05-03 |
| 發明(設計)人: | 樸容煥;李圣俊;金鐘石;鄭銀愛;鄭昌容 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅;劉燦強 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 | ||
1.一種顯示裝置,所述顯示裝置包括:
基礎構件,包括第一區域和第二區域;
電路層,在所述第一區域中設置在所述基礎構件上;
保護構件,包括在所述第二區域中設置在所述基礎構件上的多個絕緣圖案以及覆蓋所述多個絕緣圖案的覆蓋構件;
顯示層,設置在所述電路層上;以及
絕緣層,設置在所述顯示層上并且覆蓋所述保護構件,
其中,所述覆蓋構件從所述第二區域延伸為覆蓋所述第一區域中的所述電路層的僅邊緣部分,所述絕緣層延伸得比所述電路層的所述邊緣部分更遠以覆蓋所述保護構件,并且所述絕緣層覆蓋所述覆蓋構件的上表面和側表面。
2.根據權利要求1所述的顯示裝置,所述顯示裝置還包括設置在所述顯示層上并被構造為感測外部輸入的導電圖案。
3.根據權利要求2所述的顯示裝置,所述顯示裝置還包括設置在所述顯示層與所述導電圖案之間的薄膜包封層,其中,所述導電圖案直接設置在所述薄膜包封層上。
4.根據權利要求2所述的顯示裝置,所述顯示裝置還包括:
薄膜包封層,設置在所述顯示層與所述導電圖案之間;以及
觸摸絕緣層,設置在所述薄膜包封層與所述導電圖案之間,
其中,所述導電圖案直接設置在所述觸摸絕緣層上。
5.根據權利要求4所述的顯示裝置,其中,所述觸摸絕緣層的端部與所述薄膜包封層的端部平行對齊。
6.根據權利要求2所述的顯示裝置,其中,所述導電圖案設置在所述顯示層與絕緣層之間。
7.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,所述多個絕緣圖案在第一方向上彼此間隔開,并且所述基礎構件的設置有所述多個絕緣圖案的一個區域基于在與所述第一方向交叉的第二方向上延伸的軸彎曲。
8.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,所述覆蓋構件覆蓋所述多個絕緣圖案中的每個的上表面和側表面。
9.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,所述覆蓋構件填充在所述多個絕緣圖案之間的每個空間中。
10.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,所述覆蓋構件的一部分覆蓋所述電路層的一部分。
11.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,所述絕緣層覆蓋所述電路層的端部、所述顯示層的端部和所述保護構件的端部。
12.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,所述絕緣層的最大厚度比所述保護構件的最大厚度厚。
13.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,所述多個絕緣圖案中的每個包括第一層和設置在所述第一層上的第二層。
14.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,當在平面圖中觀看時,所述保護構件和所述電路層彼此不疊置。
15.一種顯示裝置,所述顯示裝置包括:
基礎構件,包括第一區域和第二區域;
電路層,在所述第一區域中設置在所述基礎構件上;
保護構件,包括在所述第二區域中設置在基礎構件上的多個絕緣圖案以及覆蓋所述多個絕緣圖案的覆蓋構件;
顯示層,設置在所述電路層上;
薄膜包封層,設置在所述顯示層上;以及
觸摸傳感器層,設置在所述薄膜包封層上,并且所述觸摸傳感器層包括導電圖案和覆蓋所述保護構件的絕緣層,
其中:所述覆蓋構件從所述第二區域延伸至覆蓋所述第一區域中的所述電路層的僅邊緣部分,并且所述絕緣層覆蓋所述覆蓋構件的上表面和側表面。
16.根據權利要求15所述的顯示裝置,其中,當在平面圖中觀看時,所述保護構件與所述電路層間隔開。
17.一種顯示裝置,所述顯示裝置包括:
基礎構件,包括第一區域和與所述第一區域相鄰設置的第二區域,所述第一區域包括第一子區域和圍繞所述第一子區域的第二子區域;
電路層,設置在所述基礎構件上,以覆蓋所述第一區域并暴露所述第二區域;
顯示層,設置在所述電路層上并被構造為顯示圖像,并且與所述第一子區域疊置;
薄膜包封層,設置在所述顯示層上并且包封所述顯示層;
觸摸傳感器層,包括設置在所述薄膜包封層上的導電圖案和覆蓋所述導電圖案的有機層;以及
沖擊吸收構件,設置在所述第二區域上,
其中,所述有機層從與所述薄膜包封層疊置的區域延伸為覆蓋所述薄膜包封層的端部、所述沖擊吸收構件的上表面和側表面兩者以及所述第二區域的至少一部分。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
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H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





