[發(fā)明專(zhuān)利]背照式CMOS傳感器中取晶粒的方法和應(yīng)用

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210099442.0
• 申請(qǐng)日: 2022-01-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114486439B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-08-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳嘉杰;季春葵;鄭朝暉
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海季豐電子股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G01N1/28
• 分類(lèi)號(hào): G01N1/28;G01N1/32
• 代理公司: 北京超凡宏宇專(zhuān)利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 劉建榮

1.一種背照式CMOS傳感器中取晶粒的方法，其特征在于，包括以下步驟：

（a）將背照式CMOS傳感器置于混酸中進(jìn)行處理以除去晶粒表面的至少大部分封裝料，取出，得到預(yù)處理晶粒；

其中，所述混酸包括硫酸和硝酸，所述硫酸的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為95-98%，所述硝酸的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為65-68%，所述硫酸和硝酸的體積比為（4-5）:?1，處理的溫度為150-180℃，處理的時(shí)間為0.5-1.5h；

（b）采用膠水將所述預(yù)處理晶粒靠近電路層的一側(cè)平整固定在硅片上；

（c）對(duì)預(yù)處理晶粒遠(yuǎn)離電路層的一側(cè)進(jìn)行任選的一次研磨以除去可能殘留的封裝料，然后進(jìn)行反應(yīng)離子刻蝕和二次研磨以使電路層完整的暴露出來(lái)并保持一定的平整度，得到晶粒；

步驟（c）中，所述反應(yīng)離子刻蝕的工藝參數(shù)包括：功率為200-250W，壓力為4-10Pa，反應(yīng)速率為100-150nm/min。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背照式CMOS傳感器中取晶粒的方法，其特征在于，步驟（a）中，所述硫酸和硝酸的體積比為5:?1。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背照式CMOS傳感器中取晶粒的方法，其特征在于，步驟（b）中，所述膠水為用于制備金屬圖形樣品的AB膠。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的背照式CMOS傳感器中取晶粒的方法，其特征在于，步驟（b）中，所述膠水的耐高溫溫度為不小于200℃。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背照式CMOS傳感器中取晶粒的方法，其特征在于，步驟（b）中，所述硅片的厚度為100-200μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的背照式CMOS傳感器中取晶粒的方法，其特征在于，步驟（c）中，所述反應(yīng)離子刻蝕所采用的刻蝕氣體包括SF₆。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的背照式CMOS傳感器中取晶粒的方法，其特征在于，步驟（c）中，一次研磨采用手動(dòng)研磨和/或機(jī)械研磨的方式進(jìn)行。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的背照式CMOS傳感器中取晶粒的方法，其特征在于，步驟（c）中，在電路層完整的暴露出來(lái)之后還包括清洗的步驟，得到晶粒。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的背照式CMOS傳感器中取晶粒的方法，其特征在于，步驟（c）中，所述清洗包括先采用熱硫酸清洗再采用丙酮清洗的步驟。

10.一種背照式CMOS傳感器的失效分析方法，其特征在于，包括以下步驟：

采用權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的背照式CMOS傳感器中取晶粒的方法以使晶粒暴露；

對(duì)晶粒進(jìn)行缺陷分析。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的背照式CMOS傳感器的失效分析方法，其特征在于，采用光學(xué)顯微鏡和/或電性測(cè)試對(duì)晶粒進(jìn)行缺陷分析。