[發明專利]電介質組合物、電子部件及層疊電子部件有效
| 申請號： | 202210098616.1 | 申請日： | 2022-01-27 |
| 公開（公告）號： | CN114907113B | 公開（公告）日： | 2023-08-01 |
| 發明（設計）人： | 村上拓;森崎信人;有泉琢磨;兼子俊彥;伊藤康裕 | 申請（專利權）人： | TDK株式會社 |
| 主分類號： | C04B35/468 | 分類號： | C04B35/468;C04B35/465;C04B35/48;C04B35/49;C04B35/622;H01G4/12;H01G4/30 |
| 代理公司： | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人： | 楊琦;丁哲音 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電介質 組合 電子 部件 層疊 | ||
1.一種電介質組合物，其中，
所述電介質組合物包含主相粒子和偏析粒子，所述主相粒子包含具有以通式ABO3表示的鈣鈦礦型晶體結構的主成分，
所述電介質組合物含有RA、RB、M及Si，
A為選自Ba、Sr及Ca中的至少1種，
B為選自Ti、Zr及Hf中的至少1種，
RA為選自Eu、Gd、Tb及Dy中的至少1種，
RB為選自Y、Ho及Yb中的至少1種，
M為選自Mg、Mn、V及Cr中的至少1種，
RA相對于所述主成分的含量CRA以RA2O3換算為0.60摩爾%以上且2.40摩爾%以下，
RB相對于所述主成分的含量CRB以RB2O3換算為0.30摩爾%以上且1.20摩爾%以下，
M相對于所述主成分的含量以MO換算為0.20摩爾%以上且1.00摩爾%以下，
Si相對于所述主成分的含量以SiO2換算為0.60摩爾%以上且1.80摩爾%以下，
在將所述偏析粒子中主要含有RA、RB、Si、Ba及Ti的特定偏析粒子中的RA的平均含量設為α摩爾%，且將RB的平均含量設為β摩爾%的情況下，
0.50＜(α/β)/(CRA/CRB)≤1.00
在所述電介質組合物的截面中，所述特定偏析粒子的合計面積相對于所述偏析粒子的合計面積的比例為80%以上。
2.一種電子部件，其中，
具有權利要求1所述的電介質組合物。
3.一種層疊電子部件，其中，
通過交替層疊由權利要求1所述的電介質組合物構成的電介質層和電極層而成。
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