[發明專利]預埋犧牲層結構的諧振器及其制備方法

在審

• 申請號: 202210097612.1
• 申請日: 2022-01-27
• 公開（公告）號: CN114465596A
• 公開（公告）日: 2022-05-10
• 發明（設計）人: 孫成亮;盧亮宇;劉文娟;劉婕妤;徐沁文;谷曦宇;蔡耀
• 申請（專利權）人: 寧波華彰企業管理合伙企業（有限合伙）
• 主分類號: H03H9/15
• 分類號: H03H9/15;H03H9/13;H03H3/02
• 代理公司: 武漢科皓知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 42222
• 代理人: 齊晨涵

1.一種預埋犧牲層結構的諧振器，其特征在于：包括：在襯底層的上表面形成凹槽；凹槽中填有犧牲層，犧牲層上表面設有若干電極層；所述若干電極層之間及其周圍由鍵合層填充，所述鍵合層的上層設有壓電層；

所述犧牲層的上表面與襯底上表面持平；

所述壓電層是通過鍵合技術和離子注入技術，轉移至帶圖形化電極的襯底上。

2.根據權利要求1所述的預埋犧牲層結構的諧振器，其特征在于：所述襯底層的材料為硅、碳化硅或藍寶石中任一種。

3.根據權利要求1或2所述的預埋犧牲層結構的諧振器，其特征在于：所述犧牲層的材料為二氧化硅、多晶硅或非晶硅中任一種。

4.根據權利要求1或2所述的預埋犧牲層結構的諧振器，其特征在于：所述電極層的材料為金、鋁、鉑、鉬、鎢或鋁-硅、鍺-硅合金中任一種。

5.根據權利要求3所述的預埋犧牲層結構的諧振器，其特征在于：所述電極層的材料為金、鋁、鉑、鉬、鎢或鋁-硅、鍺-硅合金中任一種。

6.根據權利要求1或2或5所述的預埋犧牲層結構的諧振器，其特征在于：所述鍵合層的材料為硅、二氧化硅或BCB絕緣材料中任一種。

7.根據權利要求6所述的預埋犧牲層結構的諧振器，其特征在于：所述壓電層的材料為單晶鈮酸鋰、單晶鉭酸鋰或單晶氮化鋁中任一種；所述晶向包括X切、Z切或36°Y切。

8.一種制備如權利要求7所述的預埋犧牲層結構的諧振器的方法，其特征在于：包括以下步驟：

S1：在襯底上形成凹槽；所述襯底層的材料為硅、碳化硅或藍寶石中任一種；

S2：在所述凹槽中填充犧牲層，所述犧牲層的上表面與襯底的上表面平齊；所述犧牲層的材料為二氧化硅、多晶硅或非晶硅中任一種；

S3：然后在所述犧牲層的上表面形成電極層；所述電極層的材料為金、鋁、鉑、鉬、鎢或鋁-硅、鍺-硅合金中任一種；

S4：并在所述電極層之間及其周圍填充鍵合層；所述鍵合層的材料包括硅、二氧化硅或BCB絕緣材料；

S5：最后在所述鍵合層的上表面，通過鍵合的技術工藝形成壓電層；所述壓電層的材料包括單晶鈮酸鋰、單晶鉭酸鋰或單晶氮化鋁；所述晶向包括X切、Z切或36°Y切。