[發(fā)明專利]暗點(diǎn)修復(fù)方法、裝置及顯示面板電路

在審

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• 申請日: 2022-01-27
• 公開（公告）號: CN114447082A
• 公開（公告）日: 2022-05-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 申鄭
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 黃舒悅

本申請涉及一種暗點(diǎn)修復(fù)方法、裝置及顯示面板電路，構(gòu)建暗點(diǎn)像素的陽極與輔助陰極的通路，并通入暗點(diǎn)像素的陰極至陽極方向的電壓，以使造成暗點(diǎn)像素的短路點(diǎn)燒斷。基于此，以該通路作為大電流的流經(jīng)路徑，避免大電流流經(jīng)TFT，防止燒斷短路點(diǎn)這一過程對TFT的影響。進(jìn)一步地，斷開暗點(diǎn)像素的陽極與輔助陰極的通路，以恢復(fù)顯示面板電路的正常工作狀態(tài)。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種暗點(diǎn)修復(fù)方法、裝置及顯示面板電路。

背景技術(shù)

OLED(Organic Light-Emitting Diode，有機(jī)發(fā)光二極管)是主動發(fā)光器件，與LCD(Liquid Crystal Display，液晶顯示)顯示方式相比，OLED無需提供背光源，且OLED顯示裝置具有超薄、亮度高、驅(qū)動電壓低等優(yōu)點(diǎn)，被認(rèn)為是下一代顯示裝置。

OLED顯示器件中的EL(Electro-Luminescence)發(fā)光材料本身相當(dāng)于一個(gè)二極管，只有當(dāng)其兩端電壓達(dá)到開啟電壓時(shí)才可以導(dǎo)通，其陽極與TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶體管)的漏極相連，由于TFT工作在飽和區(qū)，不論EL材料是否短路，其從TFT漏極輸入的電流ID基本不變，但是當(dāng)EL材料陰極與陽極短路時(shí)，相當(dāng)于在EL材料形成的二極管的兩端并聯(lián)了一個(gè)電阻，對ID起到分流作用，導(dǎo)致二極管的壓降不足以達(dá)到開啟電壓，不能正常發(fā)光，形成暗點(diǎn)。

為了保證顯示面板的正常顯示，通常需要修復(fù)這一類暗點(diǎn)。傳統(tǒng)的修復(fù)手段是將異物電阻移除或燒斷，但移除會對整個(gè)顯示面板造成較大破壞；而在燒斷異物電阻的過程中，大電流會通過TFT器件，可能會對TFT器件造成影響。

發(fā)明內(nèi)容

基于此，有必要針對傳統(tǒng)顯示面板中暗點(diǎn)像素修復(fù)方式還存在的不足，提供一種暗點(diǎn)修復(fù)方法、裝置及顯示面板電路。

一方面，本申請實(shí)施例提供了一種暗點(diǎn)修復(fù)方法。

一種暗點(diǎn)修復(fù)方法，包括步驟：

構(gòu)建暗點(diǎn)像素的陽極與輔助陰極的通路；

通入暗點(diǎn)像素的陰極至陽極方向的電壓，以使造成暗點(diǎn)像素的短路點(diǎn)燒斷；

斷開暗點(diǎn)像素的陽極與輔助陰極的通路。

可選地，在構(gòu)建暗點(diǎn)像素的陽極與輔助陰極的通路的過程之前，還包括步驟：

對各OLED像素進(jìn)行暗點(diǎn)篩選，篩選出暗點(diǎn)像素。

可選地，構(gòu)建暗點(diǎn)像素的陽極與輔助陰極的通路的過程，包括步驟：

通過激光鐳射工藝構(gòu)建暗點(diǎn)像素的陽極與輔助陰極的熔點(diǎn)，以形成通路。

可選地，斷開暗點(diǎn)像素的陽極與輔助陰極的通路的過程，包括步驟：

通過激光鐳射工藝鐳射斷開暗點(diǎn)像素的陽極與輔助陰極的通路。

可選地，還包括步驟：

構(gòu)建輔助陰極與陰極之間的通路。

可選地，構(gòu)建輔助陰極與陰極之間的通路的過程，包括步驟：

通過激光鐳射工藝構(gòu)建輔助陰極與陰極的熔點(diǎn)，以形成通路。

另一方面，本申請實(shí)施例還提供了一種暗點(diǎn)修復(fù)裝置，包括：

電壓通入設(shè)備，被配置為：

通入暗點(diǎn)像素的陰極至陽極方向的電壓，以使造成暗點(diǎn)像素的短路點(diǎn)燒斷；

熔接設(shè)備，被配置為：

構(gòu)建暗點(diǎn)像素的陽極與輔助陰極的通路；

斷開暗點(diǎn)像素的陽極與輔助陰極的通路。