[發明專利]一種波長可調諧的垂直腔面發射激光器在審
| 申請號： | 202210097464.3 | 申請日： | 2022-01-27 |
| 公開（公告）號： | CN114389147A | 公開（公告）日： | 2022-04-22 |
| 發明（設計）人： | 鄭君雄 | 申請（專利權）人： | 深圳市中科光芯半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/062 | 分類號： | H01S5/062;H01S5/183;H01S5/042 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市龍崗區寶龍街*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 波長 調諧 垂直 發射 激光器 | ||
1.一種波長可調諧的垂直腔面發射激光器，其特征在于，包括：
襯底（1）；
形成于襯底（1）下表面的下電極（61）；
形成于襯底（1）上表面的下分布式布拉格反射鏡（2）；
形成于下分布式布拉格反射鏡（2）上表面的氧化電流限制層（3）；
形成于氧化電流限制層（3）上表面的有源區（4）；
形成于有源區（4）上表面的上分布式布拉格反射鏡（5）；
環繞上分布式布拉格反射鏡（5）而形成于有源區（4）上表面的中間電極（62）；
形成于上分布式布拉格反射鏡（5）上表面的上電極（63）；
通過改變中間電極（62）和上電極（63）之間的注入電流大小來改變所述激光器的有效諧振區域寬度，從而改變發射激光波長。
2.根據權利要求1所述的波長可調諧的垂直腔面發射激光器，其特征在于，下分布式布拉格反射鏡（2）和上分布式布拉格反射鏡（5）均由不同折射率的化合物半導體層交替層疊而成。
3.根據權利要求1所述的波長可調諧的垂直腔面發射激光器，其特征在于，有源區（4）由下載流子限制層（41）、有源層（42）和上載流子限制層（43）層疊而成；其中，有源層（42）為具有多量子阱結構或量子點結構的化合物半導體層。
4.根據權利要求2所述的波長可調諧的垂直腔面發射激光器，其特征在于，上分布式布拉格反射鏡（5）的反射率小于下分布式布拉格反射鏡（2）的反射率。
5.根據權利要求3所述的波長可調諧的垂直腔面發射激光器，其特征在于，有源層（42）的材料為GaAs、InGaAs、AlGaAs或InAs。
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