[發(fā)明專利]一種InP HEMT外延結構

在審

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• 申請日: 2022-01-26
• 公開（公告）號: CN114530499A
• 公開（公告）日: 2022-05-24
• 發(fā)明（設計）人: 周書星;曹文彧;魏彥鋒;陳傳亮;張欣
• 申請（專利權）人: 湖北文理學院
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L23/552
• 代理公司: 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287
• 代理人: 趙燕燕

1.一種InP HEMT外延結構，其特征在于，包括由下至上依次層疊設置的InP襯底、第一緩沖層、第二緩沖層、第一勢壘層、第一Si-δ摻雜層、第一隔離層、第一溝道層、第二溝道層、第三溝道層、第二隔離層、第二Si-δ摻雜層、第二勢壘層、刻蝕停止層、第一接觸層和第二接觸層；

其中，所述第一溝道層的材料為In_xGa_1-xAs，0.5≤x≤0.8，所述第二溝道層的材料為In_yGa_1-yAs，0.7≤y≤1，所述第三溝道層的材料為In_zGa_1-zAs，0.5≤z≤0.8，所述第一Si-δ摻雜層和所述第二Si-δ摻雜層的摻雜濃度均為3×10¹²～7×10¹²cm^-2。

2.如權利要求1所述的InP HEMT外延結構，其特征在于，所述第二溝道層的材料為InAs。

3.如權利要求1所述的InP HEMT外延結構，其特征在于，還包括第三Si-δ摻雜層，所述第三Si-δ摻雜層設于所述第一隔離層和所述第一溝道層之間，所述第三Si-δ摻雜層的摻雜濃度為3×10¹²～7×10¹²cm^-2。

4.如權利要求1所述的InP HEMT外延結構，其特征在于，所述第二緩沖層為超晶格緩沖層。

5.如權利要求4所述的InP HEMT外延結構，其特征在于，所述超晶格緩沖層的材料為In_mA1_1-mAs或In_mGa_1-mAs，0.5≤m≤0.8。

6.如權利要求1所述的InP HEMT外延結構，其特征在于，所述第二接觸層的材料為摻雜Si的N型In_nGa_1-nAs，0.65≤n≤1。

7.如權利要求1所述的InP HEMT外延結構，其特征在于，所述第一接觸層的材料為摻雜Si的N型In_jA1_1-jAs，0.5≤j≤0.8。

8.如權利要求1所述的InP HEMT外延結構，其特征在于，所述第一勢壘層的材料為In_aA1_1-aAs，0.5≤a≤0.8；和/或，

所述第二勢壘層的材料為In_bA1_1-bAs，0.5≤b≤0.8；和/或，

所述刻蝕停止層的材料為InP。

9.如權利要求1所述的InP HEMT外延結構，其特征在于，所述第一緩沖層的材料為In_kA1_1-kAs，0.4≤k≤0.6。

10.如權利要求1所述的InP HEMT外延結構，其特征在于，所述第一緩沖層的厚度為10～500nm；和/或，

所述第二緩沖層的厚度為0～500nm；和/或，

所述第一勢壘層的厚度為20～500nm；和/或，

所述第一隔離層的厚度為1～4nm；和/或，

所述第一溝道層的厚度為2～20nm；和/或，

所述第二溝道層的厚度為2～10nm；和/或，

所述第三溝道層的厚度為2～20nm；和/或，

所述第二隔離層的厚度為1～4nm；和/或，

所述第二勢壘層的厚度為6～20nm；和/或，

所述刻蝕停止層的厚度為2～4nm；和/或，

所述第一接觸層的厚度為10～20nm；和/或，

所述第二接觸層的厚度為10～20nm。