[發(fā)明專利]金屬薄膜沉積方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210096905.8
• 申請日: 2022-01-27
• 公開（公告）號: CN114107939B
• 公開（公告）日: 2022-05-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高政寧;宋文聰
• 申請（專利權(quán)）人: 上海陛通半導(dǎo)體能源科技股份有限公司
• 主分類號: C23C16/14
• 分類號: C23C16/14;C23C16/24;C23C16/505
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219
• 代理人: 盧炳瓊

1.一種金屬薄膜沉積方法，其特征在于，所述金屬薄膜沉積方法包括步驟：

提供待沉積的基底，對所述基底進(jìn)行清潔后置于真空腔體內(nèi)；

待真空腔體內(nèi)升溫至預(yù)設(shè)溫度后，于所述基底表面沉積金屬薄膜；

在同一真空腔體中于金屬薄膜表面沉積硅薄膜，所述硅薄膜用于防止所述金屬薄膜被氧化；沉積所述硅薄膜的方法為：于真空腔體內(nèi)通入100sccm-600sccm的硅烷和1000sccm-5000sccm的氦氣，真空腔體內(nèi)的壓力為1torr-10torr，射頻功率為200W-700W，沉積時間為5s-30s；

其中，所述預(yù)設(shè)溫度與硅薄膜沉積過程中的溫度相同，均大于等于400℃。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬薄膜沉積方法，其特征在于，形成所述金屬薄膜和/或形成所述硅薄膜后，還包括采用惰性氣體對得到的結(jié)構(gòu)進(jìn)行吹掃的步驟。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的金屬薄膜沉積方法，其特征在于，所述惰性氣體包括氬氣，惰性氣體的流量為500sccm-8000sccm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬薄膜沉積方法，其特征在于，對基底進(jìn)行清潔的過程包括采用去離子水，無水酒精，丙酮，無水酒精和去離子水依次對基底清洗5分鐘，然后烘干的步驟。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬薄膜沉積方法，其特征在于，所述基底包括硅晶圓，所述金屬薄膜包括鉬薄膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的金屬薄膜沉積方法，其特征在于，所述鉬薄膜的沉積方法為，待真空腔體內(nèi)升溫至硅薄膜的沉積溫度后，向真空腔體內(nèi)通入反應(yīng)物MoO₂Cl₂的飽和蒸汽，MoO₂Cl₂的存儲裝置加熱溫度為80℃，飽和蒸汽壓力為0.45torr；沉積過程中，通入1000sccm-5000sccm的氬氣和500sccm-4000sccm的氫氣，射頻功率為200W-700W，真空腔體內(nèi)的壓力設(shè)置為1torr-10torr，氬氣作為載氣將MoO₂Cl₂帶入到真空腔體中進(jìn)行沉積反應(yīng)，沉積反應(yīng)時間為30s-60s。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬薄膜沉積方法，其特征在于，形成的硅薄膜的厚度為1nm-10nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬薄膜沉積方法，其特征在于，所述真空腔體為化學(xué)氣相沉積腔體。