[發明專利]一種三倍體桉樹新品種“京桂一號桉”的組培快繁方法在審
| 申請號: | 202210095033.3 | 申請日: | 2022-01-26 |
| 公開(公告)號: | CN114586684A | 公開(公告)日: | 2022-06-07 |
| 發明(設計)人: | 邱炳發;唐再生;王建忠;蘭俊;熊濤;張磊;蔣興成;趙英偉;李霞;馬忠才;李麗芳;彭智邦;俸榮娣;劉金熾 | 申請(專利權)人: | 廣西壯族自治區國有東門林場 |
| 主分類號: | A01H4/00 | 分類號: | A01H4/00 |
| 代理公司: | 南寧市吉昌知識產權代理事務所(普通合伙) 45125 | 代理人: | 滕藝瓊 |
| 地址: | 532199 廣西壯族*** | 國省代碼: | 廣西;45 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 三倍 桉樹 新品種 一號 組培快繁 方法 | ||
1.一種三倍體桉樹新品種“京桂一號桉”的組培快繁方法,其特征在于,包含以下操作步驟:
(1)優質外植體原材料培育:將三倍體桉樹“京桂一號桉”植株截去稍段,促使萌芽,移至大棚溫室培養,當萌芽長出后,人工常規控制光照、溫度、濕度,并采取病蟲害防治措施,當萌芽生長到6-8厘米,節上芽眼飽滿但尚未萌生側芽時采芽,去除葉片,得到外植體材料備用;
(2)外植體消毒:清洗步驟(1)得到的外植體材料,再用新潔爾滅菌液浸泡并清洗,在無菌條件下,剪切成長1.5-2.0厘米、保留有1-2個潛伏芽的半木質化切段,酒精浸泡,清洗,瀝干水液,置于次氯酸鈉溶液中消毒,清洗,吸干表面水分,置于升汞溶液中,讓外植體表面與升汞溶液充分接觸,隨后倒去升汞溶液,清洗外植體5-6次;
(3)初代培養:將步驟(2)消毒好的外植體表面水分吸干,切去兩端留存長1.0-1.5厘米莖段接種到初代培養基JG1上,接種后全暗培養8-10天,萌芽后移至光照培養,光照時間10-12h/d;
(4)繼代培養:經初代培養的外植體萌芽后,側芽形成叢生芽,培養15-20天,選取生長健壯、無污染的無菌芽,切割后轉入到繼代培養基JG2上,光照時間10-12h/d;在光照強度2000-2500Lux條件下培養18-22天,將長成2.0-2.5cm的無菌芽,切成帶莖節的切段,將芽叢切分成小芽叢,轉入到新的繼代培養基,以促進叢生芽增殖和單芽伸長,然后如此反復繼代培養,無菌芽數量不斷增多;
(5)生根培養:從步驟(4)擴繁的繼代苗切取生長健壯的芽條,插入到生根培養基JG3中培養,培養后的第7-9天的光照強度為1000Lux,當有短根從切口處冒出時,提高光照至3000Lux,培養溫度26-35℃;培養25-35天,根長1.5-2.0cm,苗高2.5-3.0cm時,煉苗;
(6)煉苗:將預移栽的苗,增強光照至5000Lux以上,提高苗木光合作用,增強自養能力,促進苗木木質化;臨移栽前3-5天,降低瓶內濕度,增強苗木對自然環境的適應能力,同時,灌注水入瓶;
(7)移栽:取出經煉苗的生根瓶苗,移栽至經消毒的黃心蛭土石基質或輕型基質中培養,培養20-25天;
(8)壯苗培養:按照苗木的高度及地徑大小進行分級,當苗長至15-20cm,地徑為2.4-2.7mm時,轉移至苗間距更大的育苗托中培養;苗木密度由625株/m2降至356株/m2,擴大光照空間,苗高12-15cm,地徑2.1-2.3mm的小苗留在原育苗托中;并及時淘汰少量長勢較弱的苗木,全光照自然狀態下,培養40-60天,苗高25-30cm時,出圃造林;
上述三倍體桉樹“京桂一號桉”的組培快繁方法步驟(3)中,所述初代培養基JG1組成為:以MS培養基為基礎,對其改良,所述的改良為調整大量元素氮磷鉀的含量質量比為8:1:13,其中大量元素中KH2PO4濃度調整為270mg/L,形成適合“京桂一號桉”生長的專用基礎培養基,再添加N6芐基腺嘌呤(6-BA)1.0mg/L+KT 0.5mg/L+NAA0.5mg/L+維生素C 2.0mg/L+核黃素7.0mg/L,以白糖30g/L作為碳源,瓊脂粉3.75g/L作支撐物,pH值調整為5.8-6.0,即為初代培養基JG1;
上述三倍體桉樹“京桂一號桉”的組培快繁方法步驟(4)中,所述繼代培養基JG2為:在JG1的基礎上,提高大量元素中的氮磷鉀元素含量,氮、磷、鉀元素分別提高質量百分數17.3%、10.0%、19.0%,形成適合三倍體桉樹“京桂一號桉”繼代增殖專用基礎培養基;再添加N6芐基腺嘌呤(6-BA)0.5mg/L+NAA0.2mg/L+維生素C 2.0mg/L+核黃素7.0mg/L;以白糖30g/L作為碳源,瓊脂粉3.75g/L作支撐物,pH值調整為5.8-6.0,即為繼代培養基JG2;
上述三倍體桉樹“京桂一號桉”的組培快繁方法步驟(5)中,所述的生根培養基JG3為:1/3MS培養基結合H培養基,添加H培養基中的生物素0.05mg/L、煙酸0.5mg/L,并去掉抑制生根的離子NH4+,形成“京桂一號桉”專用的生根基礎培養基,再添加植物生長調節劑ABT11.2mg/L+IBA0.2mg/L+IAA0.1mg/L+1.2%氨基寡糖素,以白糖15g/L作碳源,瓊脂粉4.0g/L作支撐物,pH值調整為6.0-6.2,即為生根培養基JG3。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于廣西壯族自治區國有東門林場,未經廣西壯族自治區國有東門林場許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202210095033.3/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種產科用輔助助產裝置
- 下一篇:高效去除飛濺物的增材制造氣路系統及方法





