[發明專利]有源矩陣基板

在審

• 申請號: 202210094561.7
• 申請日: 2022-01-26
• 公開（公告）號: CN114883340A
• 公開（公告）日: 2022-08-09
• 發明（設計）人: 西村淳;田川晶;竹內洋平;巖瀨泰章
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12
• 代理公司: 北京市隆安律師事務所 11323
• 代理人: 權鮮枝;劉寧軍

1.一種有源矩陣基板，具備：基板；以及多個氧化物半導體TFT，其支撐于上述基板，

上述有源矩陣基板的特征在于，

上述多個氧化物半導體TFT包含多個第1TFT和多個第2TFT，

各第1TFT具備：第1下部電極；第1絕緣層，其覆蓋上述第1下部電極；第1氧化物半導體層，其配置在上述第1絕緣層上；以及第1柵極電極，其隔著第1柵極絕緣層配置在上述第1氧化物半導體層的一部分上，

在上述各第1TFT中，

上述第1氧化物半導體層包含在從上述基板的法線方向觀看時與上述第1柵極電極重疊的第1溝道區域，

上述第1下部電極具有在從上述基板的法線方向觀看時與整個上述第1溝道區域重疊的第1遮光部，上述第1遮光部包含第1金屬膜，

各第2TFT具備：第2下部電極；上述第1絕緣層，其以覆蓋上述第2下部電極的方式延伸設置；第2氧化物半導體層，其配置在上述第1絕緣層上；以及第2柵極電極，其隔著第2柵極絕緣層配置在上述第2氧化物半導體層的一部分上，

在上述各第2TFT中，

上述第2氧化物半導體層包含在從上述基板的法線方向觀看時與上述第2柵極電極重疊的第2溝道區域，

上述第2下部電極具有在從上述基板的法線方向觀看時與上述第2溝道區域的至少一部分重疊的光透射部，上述光透射部包含第1透明導電膜，但不包含遮光性的金屬膜。

2.根據權利要求1所述的有源矩陣基板，其中，

上述各第1TFT的上述第1下部電極具有包含上述第1金屬膜和上述第1透明導電膜的層疊結構。

3.根據權利要求2所述的有源矩陣基板，其中，

在上述各第1TFT的上述第1下部電極中，上述第1透明導電膜以覆蓋上述第1金屬膜的側面和上表面的方式配置在上述第1金屬膜上。

4.根據權利要求2所述的有源矩陣基板，其中，

在上述各第1TFT的上述第1下部電極中，上述第1金屬膜配置在上述第1透明導電膜上。

5.根據權利要求1至4中的任意一項所述的有源矩陣基板，其中，

在上述各第2TFT的上述第2下部電極中，在從上述基板的法線方向觀看時，上述光透射部與整個上述第2溝道區域重疊。

6.根據權利要求1至4中的任意一項所述的有源矩陣基板，其中，

上述各第2TFT的上述第2下部電極還包含第2遮光部，上述第2遮光部包含上述第1金屬膜，

在上述各第2TFT的上述第2下部電極中，在從上述基板的法線方向觀看時，上述光透射部僅與上述第2溝道區域的一部分重疊，上述第2遮光部與上述第2溝道區域的另一部分重疊。

7.根據權利要求1所述的有源矩陣基板，其中，

上述有源矩陣基板在上述第1絕緣層與上述基板之間還具有第2絕緣層，

在上述各第1TFT中，上述第1下部電極配置在上述基板與上述第2絕緣層之間，上述第1絕緣層和上述第2絕緣層位于上述第1氧化物半導體層與上述第1下部電極之間，

在上述各第2TFT中，上述第2下部電極配置在上述第2絕緣層與上述第1絕緣層之間，上述第1絕緣層位于上述第2氧化物半導體層與上述第2下部電極之間，但上述第2絕緣層不位于上述第2氧化物半導體層與上述第2下部電極之間。

8.根據權利要求1至4中的任意一項所述的有源矩陣基板，其中，

在上述各第2TFT中，上述第2下部電極電連接到上述第2柵極電極，作為上述各第2TFT的下部柵極電極發揮功能。

9.根據權利要求1至4中的任意一項所述的有源矩陣基板，其中，

在上述有源矩陣基板的驅動時，施加到上述各第2TFT的上述第2柵極電極的驅動信號的占空比高于施加到上述各第1TFT的上述第1柵極電極的驅動信號的占空比。