[發明專利]一種晶圓級可重構Chiplet集成結構的制備方法

在審

• 申請號: 202210093602.0
• 申請日: 2022-01-26
• 公開（公告）號: CN114420578A
• 公開（公告）日: 2022-04-29
• 發明（設計）人: 單光寶;楊子鋒;鄭彥文;楊銀堂;李國良;饒子為;孟寶平
• 申請（專利權）人: 西安電子科技大學
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L21/768;H01L21/52
• 代理公司: 重慶萃智邦成專利代理事務所(普通合伙) 50231
• 代理人: 許攀

1.一種晶圓級可重構Chiplet集成結構的制備方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：

S1，在晶圓上制備可重構拓撲網絡，并在其上覆蓋絕緣層；

S2，在所述晶圓上制備凹槽，并進行鈍化；

S3，將Chiplet放入所述凹槽中，并進行化學機械拋光，連接所述Chiplet和所述可重構拓撲網絡；

S4，在所述晶圓上制備硅通孔和微凸點，并進行減薄；

S5，多層所述晶圓進行堆疊鍵合；

S6，將鍵合后的多層所述晶圓進行劃片、封裝。

2.根據權利要求1所述的晶圓級可重構Chiplet集成結構的制備方法，其特征在于，所述步驟S1中的所述晶圓上還制備有對位標記和電源網絡。

3.根據權利要求2所述的晶圓級可重構Chiplet集成結構的制備方法，其特征在于，所述絕緣層通過沉積法制備。

4.根據權利要求3所述的晶圓級可重構Chiplet集成結構的制備方法，其特征在于，所述沉積法沉積的絕緣材料為二氧化硅。

5.根據權利要求4所述的晶圓級可重構Chiplet集成結構的制備方法，其特征在于，所述凹槽通過濕法腐蝕和干法腐蝕制備。

6.根據權利要求5所述的晶圓級可重構Chiplet集成結構的制備方法，其特征在于，所述鈍化為向所述凹槽內沉積鈍化層。

7.根據權利要求6所述的晶圓級可重構Chiplet集成結構的制備方法，其特征在于，所述步驟S3中將所述Chiplet放入所述凹槽后，使用絕緣介質將所述Chiplet固定在所述凹槽中。

8.根據權利要求7所述的晶圓級可重構Chiplet集成結構的制備方法，其特征在于，所述絕緣介質為二氧化硅或苯并環丁烯。

9.根據權利要求8所述的晶圓級可重構Chiplet集成結構的制備方法，其特征在于，所述硅通孔的制備步驟依次包括深孔刻蝕、深孔內壁絕緣、銅金屬填充、化學機械拋光。

10.根據權利要求9所述的晶圓級可重構Chiplet集成結構的制備方法，其特征在于，所述微凸點通過濺射法制備。