[發明專利]一種耐高溫聚酰亞胺/聚芳醚酮復合膜及其界面強化方法

有效

• 申請號: 202210091238.4
• 申請日: 2022-01-26
• 公開（公告）號: CN114276574B
• 公開（公告）日: 2023-02-07
• 發明（設計）人: 王靜;熊需海;姚健;任榮;肖存勇
• 申請（專利權）人: 遼寧鯨葦科技有限公司
• 主分類號: C08J7/043
• 分類號: C08J7/043;C08J7/18;C08L79/08;C08L71/10;C08L49/00
• 代理公司: 沈陽東大知識產權代理有限公司 21109
• 代理人: 馬海芳

1.一種耐高溫聚酰亞胺/聚芳醚酮復合膜界面強化方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1：PI薄膜表面預處理

對除雜后的PI薄膜表面，噴涂質量百分濃度為0.5～5％的活性接枝劑溶液，加熱烘干去除溶液中的溶劑，得到預處理PI薄膜；

所述的活性接枝劑為4-炔基酰亞胺基封端的PAEK齊聚物的一種或幾種的混合物：

其結構式為：

其中，R為氫原子或苯環；

n為小于10的正整數；

X為中的一種結構；

S2：低溫等離子體表面處理法刻蝕接枝處理

采用低溫等離子體表面處理法對預處理PI薄膜表面進行刻蝕接枝處理，接枝上活性接枝劑，得到接枝改性的PI薄膜；

S3：耐高溫聚酰亞胺/聚芳醚酮復合膜

采用噴涂法，將PAEK水劑乳液霧化噴涂在接枝改性的PI薄膜表面，加熱烘干，繼續升溫至350～420℃，保溫使得PAEK充分熔融，再以1～5℃/min冷卻速率冷卻至室溫，得到耐高溫聚酰亞胺/聚芳醚酮復合膜。

2.根據權利要求1所述的耐高溫聚酰亞胺/聚芳醚酮復合膜界面強化方法，其特征在于，所述的S1中，除雜的方法為：采用溶劑擦拭，采用的溶劑具體為甲醇、乙醇、丙酮、乙酸乙酯中的一種或幾種的混合物。

3.根據權利要求1所述的耐高溫聚酰亞胺/聚芳醚酮復合膜界面強化方法，其特征在于，所述的S1中，噴涂厚度為50～200nm。

4.根據權利要求1所述的耐高溫聚酰亞胺/聚芳醚酮復合膜界面強化方法，其特征在于，所述的S1中，活性接枝劑溶液，采用的溶劑為二氯甲烷、氯仿、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺，N-甲基吡咯烷酮中的一種或幾種的混合物。

5.根據權利要求1所述的耐高溫聚酰亞胺/聚芳醚酮復合膜界面強化方法，其特征在于，所述的S1中，加熱烘干，加熱溫度為30～200℃。

6.根據權利要求1所述的耐高溫聚酰亞胺/聚芳醚酮復合膜界面強化方法，其特征在于，所述的S2中，低溫等離子體電極和預處理PI薄膜表面的距離為0.5～2cm，放電功率為10W～1000W，處理時間為1～10s。

7.根據權利要求1所述的耐高溫聚酰亞胺/聚芳醚酮復合膜界面強化方法，其特征在于，所述的S3中，PAEK為聚醚醚酮、聚醚醚酮酮、聚醚酮酮、聚醚酮醚酮酮中的一種或幾個混合物。

8.根據權利要求1所述的耐高溫聚酰亞胺/聚芳醚酮復合膜界面強化方法，其特征在于，所述的S3中，所述的PAEK水劑乳液為PAEK粒子在水中的乳化分散液，其質量百分濃度為15％～50％，PAEK粒子的粒徑為100～1000目。

9.根據權利要求1所述的耐高溫聚酰亞胺/聚芳醚酮復合膜界面強化方法，其特征在于，所述的S3中，加熱烘干的溫度為120～150℃；保溫時間為1～5min。

10.一種耐高溫聚酰亞胺/聚芳醚酮復合膜，其特征在于，采用權利要求1～9任意一項所述的耐高溫聚酰亞胺/聚芳醚酮復合膜界面強化方法制得，耐高溫聚酰亞胺/聚芳醚酮復合膜的聚芳醚酮膜的厚度為0.01～0.2mm，得到的耐高溫聚酰亞胺/聚芳醚酮復合膜，PI/PAEK界面粘結強度為35～40MPa。