[發明專利]一種用導電絲型人工神經元驅動的基本顯示驅動電路

在審

• 申請號: 202210091182.2
• 申請日: 2022-01-26
• 公開（公告）號: CN114758611A
• 公開（公告）日: 2022-07-15
• 發明（設計）人: 陳惠鵬;周正賢;張翔鴻;凌永杰;陳耿旭;楊倩;郭太良
• 申請（專利權）人: 閩都創新實驗室
• 主分類號: G09G3/32
• 分類號: G09G3/32;G06N3/063;H05B45/30
• 代理公司: 福州元創專利商標代理有限公司 35100
• 代理人: 蔡學俊;薛金才

1.一種用導電絲型人工神經元驅動的基本顯示驅動電路，其特征在于包括數據線、接地線、導電絲型人工神經元器件及發光模塊；數據線，用以傳遞數據的信號線；接地線，用以連接公共接地電壓；導電絲型人工神經元器件的一端并聯至所述數據線，導電絲型人工神經元器件的另一端分別連接至所述發光模塊；發光模塊遠離所述導電絲型人工神經元器件的一端并聯至所述接地線用以連接公共接地電壓；所述導電絲型人工神經元器件為夾層結構，從下往上依次為底部金屬電極層、絕緣層及頂部金屬電極層。

2.根據權利要求1所述的一種用導電絲型人工神經元驅動的基本顯示驅動電路，其特征在于，包括第一導電絲型人工神經元器件及第二導電絲型人工神經元器件，第一導電絲型人工神經元器件及第二導電絲型人工神經元器件分別連接所述發光模塊以及電源輸入電壓，用于根據數據線的輸入電壓信號控制所述發光模塊；所述發光模塊包括第一發光器件、第二發光器件、第三發光器件、第四發光器件，用于在所述控制模塊下進行發光顯示，用于產生輸出信號。

3.根據權利要求2所述的一種用導電絲型人工神經元驅動的基本顯示驅動電路，其特征在于，所述第一導電絲型人工神經元器件的頂部金屬電極層的一端連接輸入信號端，底部金屬電極層的一端連接有第一發光器件及第二發光器件，該第一發光器件及第二發光器件由第一導電絲型人工神經元器件控制通斷；所述第二導電絲型人工神經元器件的底部電極層的一端連接輸入信號端，頂部電極層的一端連接有第三發光器件及第四發光器件，該第三發光器件及第四發光器件由第二導電絲型人工神經元器件控制通斷。

4.根據權利要求3所述的一種用導電絲型人工神經元驅動的基本顯示驅動電路，其特征在于，所述第一發光器件、第二發光器件、第三發光器件及第四發光器件均為單向導電器件；所述第一發光器件的正極連接第一導電絲型人工神經元器件的底部電極層，所述第一發光器件的負極連接公共接地電壓；所述第二發光器件的負極連接第一導電絲型人工神經元器件的底部電極層，第二發光器件的正極連接公共接地電壓；所述第三發光器件的負極連接第二導電絲型人工神經元器件的頂部電極層，所述第三發光器件的正極連接公共接地電壓；所述第四發光器件的正極連接第二導電絲型人工神經元器件的頂部電極層，所述第四發光器件的負極連接公共接地電壓。

5.根據權利要求4所述的一種用導電絲型人工神經元驅動的基本顯示驅動電路，其特征在于，該電路的實現方式如下：

步驟S1，選通階段：通過正向外加電壓控制第一導電絲型人工神經元器件的電阻絲形成，第二導電絲型人工神經元器件的電阻絲斷裂，使第一發光器件及第二發光器件所在支路導通，第三發光器件及第四發光器件所在支路未導通，輸入信號可傳遞至第一發光器件及第二發光器件；

步驟S2，發光階段：第一發光器件及第二發光器件所在支路導通，施加正向導通電壓控制第一發光器件發光，第二發光器件不發光，施加反向導通電壓控制第一發光器件不發光，第二發光器件發光；

步驟S3，選通階段：通過反向外加電壓控制第二導電絲型人工神經元器件的電阻絲形成，第一導電絲型人工神經元器件的電阻絲斷裂，使第一發光器件及第二發光器件所在支路未導通，第三發光器件及第四發光器件所在支路導通，輸入信號可傳遞至第三發光器件及第四發光器件；

步驟S4，發光階段：第三發光器件及第四發光器件所在支路導通，施加反向導通電壓控制第三發光器件發光，第四發光器件不發光，施加正向導通電壓控制第三發光器件不發光，第四發光器件發光。

6.根據權利要求1所述的一種用導電絲型人工神經元驅動的基本顯示驅動電路，其特征在于，所述導電絲型人工神經元器件的基底為絕緣層，所述底部金屬電極層具體由惰性導體材料制成，頂部金屬電極層具體由活潑金屬材料制成，所述絕緣層由離子可遷移的絕緣材料制成。

7.根據權利要求6所述的一種用導電絲型人工神經元驅動的基本顯示驅動電路，其特征在于，所述底部金屬電極層的導電材料為高摻雜硅片或銅、鉑惰性金屬材料；所述絕緣層絕緣材料為氧化鉭或氧化鋯金屬氧化物絕緣材料；所述頂部金屬電極層的金屬電極為銀或氧化銦活潑金屬材料。

8.根據權利要求7所述的一種用導電絲型人工神經元驅動的基本顯示驅動電路，其特征在于：所述用導電絲型人工神經元驅動的基本顯示驅動電路的制備方法具體包括以下步驟：

(1)在以長有100-600nm厚的高摻雜硅片或銅、鉑惰性金屬材料為基底；

(2)在步驟(1)得到的底部金屬電極層層上通過濺射絕緣材料，制得固態電介質層；

(3)得到的固態電介質層上通過熱蒸發工藝制得頂部活潑金屬電極。