[發(fā)明專利]轉(zhuǎn)移裝置及其制作方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210090720.6
• 申請(qǐng)日: 2022-01-26
• 公開（公告）號(hào): CN114464567A
• 公開（公告）日: 2022-05-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉忠鵬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: TCL華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/683
• 分類號(hào): H01L21/683;B29C35/02;H01L33/48
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 呂姝娟

1.一種轉(zhuǎn)移裝置，其特征在于，包括：

基板；

轉(zhuǎn)移層，其設(shè)置于所述基板的一側(cè)面，所述轉(zhuǎn)移層包括多個(gè)間隔設(shè)置的轉(zhuǎn)移吸頭；

其中，所述轉(zhuǎn)移吸頭的材料包括基材以及磁性材料，所述轉(zhuǎn)移吸頭包括位于所述轉(zhuǎn)移吸頭遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)的轉(zhuǎn)移工作面，所述轉(zhuǎn)移吸頭轉(zhuǎn)移工作面的粗糙度范圍為Ra17μm-Ra23μm。

2.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)移裝置，其特征在于，所述基材包括聚二甲基硅氧烷，所述磁性材料包括納米鐵氧體。

3.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)移裝置，其特征在于，所述磁性材料與所述基材的重量比為1:1～4。

4.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)移裝置，其特征在于，所述轉(zhuǎn)移吸頭呈圓錐臺(tái)狀或柱狀。

5.如權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)移裝置，其特征在于，所述基板包括暫態(tài)基板和玻璃基板中的一種。

6.一種轉(zhuǎn)移裝置的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一基板；

在所述基板上形成液態(tài)磁流體層，所述液態(tài)磁流體層包括基材和磁性材料；

對(duì)所述液態(tài)流體層施加磁場(chǎng)，所述磁場(chǎng)的磁場(chǎng)方向與所述基板呈一定夾角，使得所述液態(tài)磁流體層在所述基板上分散形成間隔設(shè)置的多個(gè)未固化轉(zhuǎn)移吸頭；

將所述未固化轉(zhuǎn)移吸頭固化以形成多個(gè)所述轉(zhuǎn)移吸頭。

7.如權(quán)利要求6所述的轉(zhuǎn)移裝置的制作方法，其特征在于，采用加熱的方式對(duì)所述未固化轉(zhuǎn)移吸頭進(jìn)行固化，對(duì)所述未固化轉(zhuǎn)移吸頭加熱的溫度為85-110℃。

8.如權(quán)利要求6所述的轉(zhuǎn)移裝置的制作方法，其特征在于，所述對(duì)所述液態(tài)流體層施加磁場(chǎng)，所述磁場(chǎng)的磁場(chǎng)方向與所述基板呈一定夾角，使得所述液態(tài)磁流體層在所述基板上分散形成間隔設(shè)置的多個(gè)未固化轉(zhuǎn)移吸頭的步驟之前，還包括：

在所述液態(tài)磁流體層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)設(shè)置一與所述基板平行的擋板；

在所述基板靠近所述擋板的一側(cè)面形成粘膠，所述擋板和所述基板之間通過(guò)所述粘膠連接，且所述粘膠的厚度大于基板上的所述液態(tài)磁流體層的厚度；

在所述將所述未固化轉(zhuǎn)移吸頭固化以形成多個(gè)所述轉(zhuǎn)移吸頭之后，還包括：

切割所述粘膠，分離所述擋板和所述基板。

9.如權(quán)利要求8所述的轉(zhuǎn)移裝置的制作方法，其特征在于，所述擋板的材料包括聚四氟乙烯，所述基材包括聚二甲基硅氧烷。

10.如權(quán)利要求8所述的轉(zhuǎn)移裝置的制作方法，其特征在于，所述粘膠靠近所述基板的邊緣設(shè)置。